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中国LED研发及生产区域分析 LED的核心技术是LED的外延生长和芯片制造技术，近几年政府和相关研究机构对此高度重视，投入了大量资金和人力加以研究、开发和产业化。主要研究机构有北大、清华、南昌大学、北京工大、山东大学、南京大学、华南师范大学、厦门大学、深圳大学、中南理工大学，中科院半导体所、物理所，中电13所、55所以及新成立的中科院半导体照明研发中心等。在外延生长、芯片制造方面开展多项研究并取得成果，如在不同衬底(Al2O3、Si、SiC、AlN、GaN)上外延生长GaN材料、有图形化衬底外延、非极性或半极性外延、衬底转移、激光剥离、共晶焊接、ITO电极、表面粗化和光子晶体等等，提高内量子效率和外量子效率，均取得很好的研究成果。另外，我国已研发出AlGaN深紫外(260nm～400nm)发光二极管，还研发出1W的LED蓝光芯片，做成白光LED的发光效率超过80lm/W，并研制出四元系AlGaInP红光功率LED器件，发光效率约40lm/W。南昌大学研制出具有自主知识产权的在Si衬底上生长GaN，并做出蓝、绿LED芯片，已实现产业化。 国内LED外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安、大连路美、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、杭州士兰明芯、江西晶能光电、河北同辉、沈阳方大、厦门乾照、江西联创、南昌欣磊、上海大晨、上海宇体、深圳世纪晶源、深圳奥伦德、扬州华夏集成、廊坊清芯、甘肃新天电、武汉迪源、西安中为、广州普光、东莞福地，以及外资企业武汉华灿、厦门晶宇、厦门明达和晋江晶蓝等共计20多家企业，这些企业在芯片结构和工艺改进方面做了大量的工作，在提高产品性能、成品率、工艺重复性、提高抗光衰能力和可靠性等方面均取得较大成果，保障了芯片的批量生产。2007年国内生产高亮度芯片超过210亿只，增长率为75%，其中蓝、绿芯片约为65亿只，增长率为62.5%，预计2008年高亮度LED芯片产量将超过300亿只，其中蓝、绿芯片约80亿～100亿只。 近年来，我国明显加大了对LED产业的投入。政府相关部门加大了资金投入，扶持半导体照明产业的研发和发展，如教育部投入大学的基础研究项目资金，中科院投入研究所的研发项目资金，科技部以863项目投入的研发资金，原信息产业部以电子发展基金项目投入资金，国家发改委以扩大产业化规模项目进行投入等等。许多省、市也以各种形式投入资金发展半导体照明产业，有十几个省、市将半导体照明产业作为本地区重点产业加以发展。 国内相关企业集团和私营资本近几年也积极投资半导体照明产业，有人估计投资额超过100亿元。国内LED前工序企业近年新购置MOCVD设备40台～50台，芯片制造设备几百台套，扩大企业产能。国内最大的5家LED封装企业均在近两年内投资建设新厂房，增资购置自动化封装设备。另外，由于各方投资的增加，近两年还增加了很多新进入该领域的企业。 当然，LED产业的投资风险也不容忽视。由于半导体照明产业属于高科技产业，现有上万个专利，对投资者来说，要充分了解该技术领域的专利保护和专利纠纷问题，不应随意介入，否则有可能引来国际诉讼；对于准备在LED外延生长和芯片制造领域投资的企业而言，应充分考虑其核心技术的来源，最好要有自主知识产权的核心技术，否则重复投资LED的中、低档产品，其风险较大；在市场开拓上，要充分考虑到韩国和我国台湾地区相关产品市场竞争的激烈程度，特别是我国台湾地区，其LED的技术水平较高，产量也较大，在市场竞争方面，对大陆企业形成较大的挑战。 技术、市场、政府支持缺一不可 虽然我国LED产业发展速度较快，但技术水平与国际领先水平的差距仍然较大，主要是缺乏有自主知识产权的核心技术，其产品以中、低档为主，产业化规模偏小，缺乏竞争能力。高性能LED和功率LED产品均要依赖进口，为此，对于如何加速发展LED产业，提出如下三点建议： 第一，政府应加大支持力度，增强调控能力。一方面，应重点支持国家级半导体照明研发平台建设，对分散重复的研究机构进行整合调整，真正支持有自主知识产权核心技术和创新项目的研发工作；另一方面，应该用政府引导和宏观调控的办法，对LED前工序规模偏小和有条件的后工序封装企业要引导投资、重点扶持，进行整合、合资、合并，集中资源扩大产业化规模，使企业在国际上具有一定的竞争能力。对此，可借鉴韩国和我国台湾地区的经验。 第二，应加强LED技术基础研究、开发。在LED外延、芯片制造领域，应着重提高发光的内量子效率和外量子效率，提高产品性能、稳定性、一致性和可靠性，提高产品的成品率，要有创新成果和自主知识产权的核心技术。在封装领域，应加强白光LED和功率LED封装技术的研发，主要是提高出光效率、出光均匀性、一致性，改进封装结构，提高衬底散热性能、降低热阻，提高抗光衰能力和可靠性。在配套领域，应加强LED主要