真空镀膜中膜厚均匀性的研究.pdfVIP

维普资讯 8 传感器技术(j。LlmalofTr~mdeucerTechnolcgy) 2002年 第21卷 第5期 疆 ； 真空镀膜中膜厚均匀性的研究 穆长生 ，张辉军 ，温殿忠 (黑龙江大学 电子工程学院，黑龙江 喑尔滨 150080) 摘 要：在半导体器件生产过程中，器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线，同 时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀，影响膜厚的因素很多，实际生 产中，陪片由于与其它正片的几何位置不同，因此膜厚不同。其差别可达 1％～20％，但在大量的文献分 析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源，通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位 置，使误差可控制在 1％，甚至01％。 关键词：真空镀膜；蒸发源位形：膜厚均匀性 中田分类号：TN305．8；TN305．96 文献标识码：A 文章编号：1000—9787(2002)05 0008—03 Studyon uniformityofthefilm thicknessin vacuum evaporation processes MU Chang—sheng，ZHANGHui．jun，WENDian．zhong (cobofElctEn~II，HeilongjiangUniversity，Harbin150080，China) Abstract：Dunngproducingsemiconductordevice，itispreparedbyevat：oraringtomostofdeviceleaderEvat：o— ratingnotonlyCallpreparde laeder．butalsoisthemainmeB2~ t。makeseDseflm 0fsen∞rec~ponenm The thicknessoffilm isfrequentnon．uniform ，and{actorsreagoodmany，Inpractice，thenegadvefilmsdifferfr~L otherposidveiilmsingeometricposition， thethickn e~offilmsaredifferent，andthedifferencecartextendto 1％--20％ Butit edin删 ofliteraturesTotwooDti1／nonevaporationsourc~l，weobtainthebestp0 · tionofnegativefilms，p~tivefilmsandevaporation8OUlCe~bythoeretiacleatculatingand per 鼬tswhich makesthedifferenceeterldto1％，evenzeropointol／epercent． Keyw棚。ds：vacuJ【I【Ievaporation~shaDeandpositionoftheevaporatiresource；uniformity0fthefilm thickn ess 0 前 言 着重讨论 “几何因素”的影响机制，考虑蒸发源 的形状、位置，基片的位置及运动，用抽样检测 比较 几何因素的影响，结果表明，现有许多型号的镀膜 机，其设计对几何因素的影响未予足够的重视。因 此，一般的镀膜机，特别是基片用平面圆盘支架的机 器(膜厚不均匀性达 1％～2O％)，同时蒸发物的立 体角分布也是影响膜厚均匀性的因素。以均匀分布 或余弦分布两种分布位假设，推导其结果，讨论误差 田1 蒸发源与基片的几何关系