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Improve Removal Selectivity of Ruthenium and Copper by Glycine in KIO -Based Slurry 4 Department of Microelectronics 苏州瑞斯其电子材料有限公司 1 苏州瑞斯其电子材料有限公司 Outline 1 Introduction 2 Experimental and results 3 Mechanism of glycine in polishing Ru 4 Summary 2 Ru used as a Cu diffusion barrier No seed layer and single barrier layer Cu Lower (～7 µΩ·cm) resistivity compared to Ta RuC, RuN.. No seed layer (～14 µΩ·cm) and TaN (～200µΩ·cm) required due to Ru conductive Cu platform Direct electrodeposition of Cu Ru Good adhesion ability TaN JJ Tan, XP Qu Thin solid films. Immiscibility with Cu 504 (2006) , 231– 234 Ru/TaN have good diffusion barrier properties 13 nm High thermal stability
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