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2017-08-21 发布于重庆
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2013-11-21 第三章半导体中载流子的统计分布 §§3.1 3.1 状态密度状态密度 T一定，且无其它外界激励条件存在：假设在能带中能量E 与E+dE 之间的能量间隔dE 内有量子态dZ 个，则定义状态密度g (E) 为：达到热平衡： 产生载流子过程—— 电子从价带或杂质能级向导带跃迁； dZ  g(E) ——单位能量间隔内的量子态数  复合过程—— 电子从导带回到价带或杂质能级上； dE 若T改变，原来的平衡状态遭到破坏建立新的平衡状态求g (E) 的方法：本章讨论核心： ①先求出k 空间量子态密度； ①寻找如何计算一定的温度下，半导体中的热平衡载流子浓度； ②求出k 空间能量为E 的等能面所围成的体积，再乘以k ②寻找半导体中载流子浓度随温度的变化规律；空间量子态密度； dZ  允许的量子态按能量如何分布 ③按定义g(E) ，求出 g(E) 。  dE  电子在允许的量子态中如何分布 1、k 空间中量子态的分布 2 、状态密度 n * kz x  kx L