数字模拟电子技术基础课后练习题答案.pptVIP

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2017-08-22 发布于河南
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数字模拟电子技术基础课后练习题答案.ppt

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1、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。 2、 P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 3、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN结具有具有单向导电特性。 4、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 5、在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 6、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 10、场效应管从结构上分成 JFET 和 MOSFET 两大类型，它属于电压控制型器件。 11、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。 12、场效应管是单极型器件，只依靠多数载流子导电。 13、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。 14、当栅源电压等于零时，增强型FET 无导电沟道，结型FET的沟道电阻最小。 15、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。 * * 复习题： 7、三极管的三个工作区域是，，。 8、三极管实现放大的外部条件是：。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb=-3.2V, Vc =-3.9V, 这是管（硅、锗），型，集电极管脚是。截止饱和放大发射结正偏、集电结反偏硅 NPN a 9、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb= 0.5V, Vc = 3.6V,试问该三极管是硅管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 *