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激光器匹配电路中硅基微带线的研究 杨存永汪锁发韩振宇赵知夷吴德馨 (中科院微电子中心100029 摘蟹计在硅肇上制作微带线做了研究,发现金属布线和硅村底之间的介质层对微带线的传输特性影响很大t在介质层Si02的 pm)的情况下.硅的体电阻对锻带线的传输特性影响很大,采用高阻硅可以制作传输特性龟好的微带线:加踔 17膻鞍薄(≤l 南线_r面的介质层Si02可以改善微带线的传输特性,当s102较厚(≥20“m)时.利用低阻硅也可以作出低损耗的徽带线,蛙 ohm的微带蛙.为高频激光器的无薄耦台提供了揩导· 丁咀I的研究设计出了传输特性良好的持性诅抗为50 戈键训 微带线 电磁场分析硅基平台 1.引言 随着个人通信由单纯的语音向多媒体方向转变,光纤到户成为一种趋势,但光纤接入 刚的发展并不顺利,制约光纤接入网发展的主要原网是其成本的居高不下。光发射模块是 光纤接入网中的关键部件,它的成本的降低是光纤接入网成本降低的关键,而目前光电发 射模块中激光器与光纤的耦合通常采用使LD发光,然后一边监视光纤输出一边进行位置微 调以达到光轴对准的有源对准方式,这种方式耗时太长,难以形成规模,严重阻硝了光技 术的发展,适应不了迅速增长的市场需求。近年来出现的硅基平台技术即把有源、无据光 器件、电子器件和光纤集成在经过加工的硅片上。改变过去复杂的有源耦台.发展为无源 耦合,这种方法有望降低光发射模块的成本。实现无源耦合可以有多种方式,一种是利用 机械定位的方法,这种方法对激光器的外形要求非常苛刻…,另一种方法是在硅基上制作焊 球.利用焊球的自对准特性实现无源耦合”’,还有一种方法是利用倒扣焊接的方法进行无源 耦合。中科院微电子中心已经实现了基于倒扣焊接方法的无源耦合,但还不能应用到2.50b/S 以上的光发射模块中去,原因是普通硅片的体电阻太小.在硅片上制作的微波传输线损耗 艰人不能达到要求,针对这种情况,本文对在硅基上制作微波传输线作了一些研究,提出 ohm的低损耗微带线。 了两种在硅基上制作微带线的方案,并设计出了特性阻抗为50 2.激光器匹配电路的设计 GHz,所以在封装激光器时不能使压焊金丝太长, 由丁-激光器调制信号的频率为2.5 而J衄该采j{;}在硅基上制作微带线的方法来降低金丝的长度,减少微波损耗。激光器的匹配电 NiCr薄膜电阻工艺在砖基上制作出米, 路陶如图l所示,图中地接正极,匹配电阻可以利Nj 空气 皇i虎 徽带线 健置 广(一一 蔓n硅:: ::: ::::::: : : 调制 信号 硅 地 韬仆融.:. :.:. : . : 幽1激光器匹配电路 幽2电磁场分析结构幽 ohm时,微带线I作在i?波状态, 当匹配电阻加上激光器的内阻等1:微带线的特性阻抗50 不会发生反射,厄流圈是剧来阻挡高频信号向直流偏置端泄漏的,可以在硅基上制作螺旋电 ohm微带线却有一定的困难。 感来实现,而在硅基上制作低损耗的特惜阻抗为50 3.微带线的设计 微带线是目前戍用最J1泛的准TEM模传输线,住卜10GHz范围广为采H;jI‘‘.1般它的 蓬片材料都是绝缘体或’|,绝缘体。而硅的体电阻较小,
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