AlGaInP DHLED的pn结特性.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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AlGaInP DHLED的pn结特性.pdf

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第34卷第9期发光学报 V01．34No．9 2013年9月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCESept．，2013 文章编号：1000—7032(2013)09-1213-06 AIGaInP DH．LED的pn结特性 8 高丹1’2，梁静秋1，梁中翥1，田超1”，秦余欣1，王维彪1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室，吉林长春130033； 2．中国科学院大学，北京100049) 摘要：针对A1GaInP DH—LED的pn结特性进行了理论分析，得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab 进行模拟分析，结果表明：当温度(300K)一定时，在电压较小的情况下，电流密度成直线形式增大；当电压增大到一定值时，电流密度成对数形式增大；当电压过大时，电流密度几乎不增大。随着电压的升高，器件产生焦耳热增多，影响器件的工作特性，最终缩短LED的寿命。综合考虑，最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2—2．33V。关键词：A1GaInP；电压电流特性；pn结；简并半导体中图分类号：TN312．8 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1213 CharacteristicofAIGalnPDH-LED Junction pn GAO Danl”，LIANGJing．qiul，LIANG Cha01一， Zhong—zhul，TIAN Yu．xinl．WANGWei—bia01+ QIN (1．StateLaboratory Institute Mechanicsand Key ofAppliedOptics，ChangchunofOptics，Fine Physics Chinese of 130033，China； AcademyScience，Changchun Chinese 2．Universityof Academyof 100049，China) Science，Beijing {CorrespondingAuthor，E—mail：wangwbcn@163．com Abstract：The characteristicsofA1GalnPDH—LEDwas Matlab pnjunction analyzedbyusing simulation．Theofcurrent and Vatcertain J K)was relationshipdensityvoltage temperature(300