掺铒薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 E !$ $$# !$ ， ， ， OX0 ;E 8X ; !$ N+YXZ/ $$# （ ） !$$$5#$*$$#*E !$ *EE%5$E SQ4S 9VW)6QS )686QS $$# Q,1. ; 9,[K ; )X+ ; 掺铒 薄膜的背散射 沟道分析和光致发光研究! !# $ ）） ） ）） ） ）） ）） ! # ! ! ! ! 宋淑芳 周生强 陈维德 朱建军 陈长勇 许振嘉 !）（中国科学院半导体研究所，北京 !$$$%# ） ）（中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家实验室，北京 !$$$%$ ） # ）（北京大学技术物理系，北京 !$$$%$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$ !! % $$# ! 采用背散射（ ）沟道（ ）分析和傅里叶变换红外光谱（ ）研究了掺铒 薄膜的晶体结构和光 ’() * +,-../01.2 3456’ 7-8 致发光（ ）特性 背散射 沟道分析结果表明：随退火温度的升高，薄膜中辐照损伤减少；但当退火温度达到 9: ; * ，薄膜中的缺陷又明显增加 浓度随注入深度呈现高斯分布 通过沿 的 轴方向的沟道分析， !$$$ ; = ; 7-8 ? $$$! @ 对于 ， 退火的 ： 样品， 在晶格中的替位率约 光谱研究表明：随退火温度的升高，室温下样 $$ #$A1. 7-8 = = BC D ; 品的红外 峰强度增加；但是当退火温度达到 ，样品的 峰强度明显下降；测量温度从 变化到 9: !$$$ 9: !EF #$$F 时，样品（ ， 退火的 ： ）的 处 温度猝灭为 $$ #$A1. 7-8 = !EG$.A 9: #$ D ; 关键词： ， ，离子束分析，光致发光 7-8 = ： ， ， ， %’’ B%$= BC#$F G!%$7 B%EE= 的掺杂浓度可以达到 !$$ +AM # ，从而可增加了=# I ［］