电池车间工艺流程培训讲义.pptVIP

1、短路电流Isc ----- 在一定的光照下通常取AM1.5=100mw/cm2输出端短路时，太阳电池的输出电流。 2、开路电流Voc---在一定的光照下(AM1.5)输出端开路时，太阳电池的两端的电压。 3、最大输出功率Pm----“峰值功率”在一定光 照下（AM1.5）太阳电池能够输出的最大功率。Pm= Im – Vm 4、填充因数 FF: 定义为：FF=Pm / ( Isc*Voc) Pm=Ipm*Vpm 即最大输出功率与短路电流和开路电压乘积的比(有时也 把Isc*Voc称作太阳电池的极限功率)，填充因数是太阳电池质量好坏的一个重要标志，FF越大，说明电池的最大输出功率越接近极限输出的功率。 5、转换效率 η-----在一定光照下（Am1.5(1000nw)/cm2），太阳电池的最大输出功率Pm与入射光能之比。 η=Vm*Im / Pin η=pm / pin 转换效率是一个太阳电池性能好坏的最主要的标志，显然转 换效率越高太阳电池把太阳能转换变成电能越强，太阳能的 利用越高，在相同的条件下，输出的电能越大。 目前单晶硅电池，实验室可排到18%，批量生产可达到14%。 非晶硅电池，实验室可达到13.2%，批量生产可达到6-10% 6、温度系数 电压、电流，最大输出功率的温度系数是其他条件不变，温 度每升一度，参数相对变化。 如：25℃ （Isc(26℃)-Isc（25℃））/Isc(25℃)×100%/℃ 电压温度系数 -0.33%/℃，电流温度系数 0.09%/℃, 输出功率温度系数 -0.23%/℃ 谢谢 技术工程部 衬 底：透明导电层：非晶硅层：背电极层： 衬 底： 3.2mm 玻璃 透明导电层： SnO2、 Zno、 ITO 非 晶 硅 层： P、I、N 背 电 极 层： AZO、Al、 N i、SS 双结芯片 单结芯片(限于芯片段) ETCH INSPECTION 刻划检查 EDGE GRINDING 磨边 1st CLEANING 一次清洗 1st LASER 激光一 PREHEATING 预热炉 DEPOSITION 沉积 COOLING-1 冷却-1 2nd LASER 激光二 8 CHAMBER PVD 8室PVD 3rd LASER 激光三 VAPOR DEPOSITION 蒸镀 PV CELL TESTING 电池测试 RWK: RE-PRESS 返工：反压 HI-TEMP anneal 退火 BC GRADE + SCRAP B级, C级 和 报废产品 SPOT WELDING 点焊 EDGING 边缘处理 PV CELL WASH 芯片清洗 LAYOUT 敷设 LAMINATION (Front) 层压 COOLING-2 冷却-2 TRIM EDGE 刮胶 JUNCTION BOX 装接线盒 MODULE TESTING 组件测试 EDGE PROTECTION 边缘保护 SURFACE CLEAN 外观清洁 WELD JUNCTION BOX 焊接接线盒 PACK 包装 STACK 装柜 SHIP 发货 PECVD BACK PLATE WASH 背板玻璃清洗 RWK: ABNORMAL ALUM 返工：铝带异常 SCRAP 报废产品 2nd CLEANING 二次清洗 POUR SEAL 灌封 SCRAP 报废产品 RWK 返工 腐蚀返 工抽检 RWK: Corrosion (Renew) 返工：腐蚀(再生) PV CELL PV电池 PV MODULE 电 池 组 件 RWK: Etch 返工：刻划 1、流程图 使用清洗液 去除表面油脂、粉尘等 基片表面第一次洁净 要求水质干净残留离子较少 利于1次激光刻划 反渗透原理 EDI原理 激光刻划的基本原理（laser 1） 波长1064 nm红外激光 将导电层刻划成一条条等面积的长条（前电极\正极） 超声波清洗 没有使用清洗剂 清洗之后芯片直接装入反应箱 使用去离子水冲洗 风刀烘干基片 1、工序：预热、PECVD、冷却 2、在导电层上沉积多层不同掺杂的非晶硅 薄膜，构成有一定结构的电池 3、控制点： 温度、本底真空度、沉积压力、气体流量、电源功率、辉光时间、辉光稳定性 4、清洗 532nm波长 可见绿色 使用绿光原因：因为非晶硅在0.5um波长的光吸收系数