电子技术基础期末考试题李效芳.ppt免费

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2017-09-22 发布于山东
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电子技术基础期末考试题李效芳.ppt

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* * 第二节半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的结构和类型 1.2.2 二极管的伏安特性及等效电路 1.2.3二极管的主要参数 1.2.4 二极管的应用总目录下页 1.2.1 二极管的结构和类型阳极从P区引出，阴极从N区引出。二极管的类型从材料分：硅二极管和锗二极管。从管子的结构分：对应N区对应P区点接触型二极管，工作电流小，可在高频下工作，适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管，工作电流大，只能在较低频率下工作，可用于整流。开关型二极管，在数字电路中作为开关管。二极管的符号阳极 anode 阴极 cathode 下页上页首页 30 20 10 I/mA UD/V 0.5 1.0 1.5 20 10 2 4 -I/μА O 正向特性死区电压 Is UBR 反向特性 + - UD I 1.2.2. 二极管的伏安特性及等效电路下页上页首页 1.伏安特性当正向电压超过死区电压后，二极管导通, 电流与电压关系近似指数关系。硅二极管为0.7 V左右锗二极管为0.2 V左右死区电压正向特性 0.5 1.0 1.5 10 20 30 U/V I/mA 0 二极管正向特性曲线硅二极管为0.5 V左右锗二极管为0.1 V左右死区电压：导通压降：正向特性下页上页首页反偏时，反向电流值很小，反向电阻很大，反向电压超过UBR则被击穿。 IS 反向特性 UBR 结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。二极管方程：反向饱和电流反向击穿电压若|U| UT则 I ≈ - IS 式中： IS为反向饱和电流 UT 是温度电压当量，常温下UT近似为26mV。反向特性 -2 -4 -I/μA I/mA U/V -20 -10 0 若U UT 则下页上页首页 2.二极管的等效电路图1.2.5 二极管的理想等效模型 1.理想模型正偏时：uD=0,RD=0; 反偏时：iD=0, RD=?。相当于一理想电子开关。 2.恒压降模型图1.2.6 二极管的恒压降等效模型正偏时：uD=Uon,RD=0; 反偏时：iD=0, RD=?。相当于一理想电子开关和恒压源的串联。 3.折线型模型图1.2.7 二极管的折线型等效模型正偏时：uD=iDrD+UTH; 反偏时：iD=0, RD=?。相当于一理想电子开关、恒压源和电阻的串联。 1.2.3 二极管的主要参数最大整流电流 IF 指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。 IF的数值是由二极管允许的温升所限定。最高反向工作电压 UR 工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿。为了留有余地，通常将击穿电压UBR的一半定为UR 。下页上页首页室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。 IR受温度的影响很大。最高工作频率 fM fM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二极管允许的最高工作频率愈低。下页上页反向电流 IR 首页