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应用文档034 】达林顿放大器的直流分析 达林顿放大器的直流分析 目录 关键词中英文对照 2 概述 2 RF 输出到地（C-E ）, RF 输入（B ）悬空 3 RF 输入到地（B-E ）, RF 输出（C ）悬空 4 RF 输入到RF 输出（B-C ）, 地（E ）悬空 5 结论总结 6 参考文档 7 版本管理 7 1 为客户创造价值 (86) ( 10 中国应用支持部门】 应用文档034 】达林顿放大器的直流分析 关键词中英文对照 射频 RF 直流分析 DC Analysis 达林顿放大器 Darlington Amplifier 晶体管结 Transistor Junction 概述 大多数工程师都对用曲线描绘仪评估晶体管较为熟悉。曲线描绘仪能够验证 （至少）一 只管脚接地器件的导通路径，方法是通过在另一个管脚上扫描电压来测量产生的电流。然后 我们可以绘制一条通过该路径的电流对电压的特征曲线。常规的扫描包括基极-发射极，基 极-集电极，集电极-发射极，还有全3 端口评估，就是测试一个集电极-发射极特征曲线对基 极-发射极电流的函数。 IV 曲线也能够用 评估达林顿放大器的内部特征。达林顿器件是3 端口器件，但是它 的内部特征又比离散的晶体管复杂的多。达林顿放大器的等效电路如图1 所示。用特征曲线 方法，可以用 验证第一级和第二级晶体管的功能性和电阻阻值。 图1 达林顿放大器的等效电路 达林顿设计一般比图1 所示的晶体管多，有些器件（RFMD ）第一级晶体管由两个离散 的晶体管组成。并且第二级晶体管由多个晶体管并联组成。这样可以在取得需要的输出功率 的情况下而不超过该器件工艺所能承受的最大电流密度。理解这一点对于比较IV 曲线和等 效电路图时至关重要。等效电路代表所有并联路径都正常工作情况下的导通路径。 分析显 示在IV 曲线某个特定区域的阻值异常时，这时需要注意准确给出结论。如果期望的阻值是 R 1e( 图1)，而实际测试的结果是2*R 1e，比较可能的情况是两个第一级晶体管之一开路，电 流只从两个并联晶体管中的一个通过。 用曲线描绘仪评估达林顿放大器时，典型的管脚映射如下： 2 为客户创造价值 (86) ( 10中国应用支持部门】 应用文档034 】达林顿放大器的直流分析 表1 - 达林顿评估的管脚映射关系 测量内部电阻靠检查IV 曲线的斜率。因内部不同的有源元件开始导通的电压不同，IV 曲线能够分割成不同的区域。如果一台曲线描绘仪包含了阻抗测量特性，你仅仅需要测试某 一线性区域内的IV 曲线的斜率 判定这一电压电平下的阻值。否则的话需要检测线性区域 的两端来计算阻值，用电压差值除以电流差值： R = (V2-V 1)/(I2-I1) 任何时候都要进行必要的限流，因为内部短路会产生难以预计的大电流流过，从