晶体三圾管的测量.docVIP

晶体三圾管的测量 晶体三极管好坏和性能简易比较； 测量三极管的发射结和集电结的正、反向电阻．可以初步判断晶体三被管的好坏。具 仲测丛时仍使用电阻R×1 00或月×1k档，分别测出基极和发射权、基极和集电极的正反 向电阻，ATMEL代理商阻位正常时说明晶体三极管基本上是好的。 第二步可测集电极和发射极间的反向电阻，阻值越大，说明穿远电流J一越小，晶体 管性能越稳定。 再在基极与集电极之间，接入100kD电阻，集电圾—发射极反向电阻会减小。减小得 越多，说明电流放大系数4越大。 在判断JCI‘IR时，用于捏住管子 多越迅速．则管子稳定性越差。 晶体三极管管脚、管型的判断： 集电极—发射极反向电阻减小越②单结品休管的测量： 用打用屯友的电阻挡(及×100、尺×lk)，将义极性熙伟、j1圾接红库．此时相当于 在乙和D1间加上L 5v电压。月外在从、jI间外加4．5v电压，此时若指针不动．表明 管于是好的。如果表针有指尔，则管子元负阻性或分压比7太低。个能用。 用万用农测出单结晶体管的z极与BL、么：间的正向电阻及5I、从间的电阻，也可 网7；式估贸单结晶体管的分压比v位： v—o．5t、静 其个。分别为f极与jI、D2问的正向电阻，Ad1“．为JI ④场效应管的测丛： M()s场效应管用万用电表电阻挡(／4×100)测出源圾与肠极之间电阻， 股庐在几 千欧失几十干欧之间。然后用月×10k柠测第‘栅与第二栅之间、栅极与源极之间、栅极 与漏极之间的电阻。正常时．均应为无穷大，否则管于是坏的。 对于结型场效应管，检查力法基本上与普通三极管相向。如批源极、漏极之间．栅 极、漏极之间1；显示PN结。[：反向电阻。或栅极、源极之间九立流电阻时．管子是坏的。 ③可控硅的测丛(品问管)： ‘ 钵向nJ控政的测汝．?IJ将万用电夫比R×10k电阻挡．测丛KJ极和护制极、阳极和阴 极问的5[反向电阻．均应接近无穷大。Qn果阻恢很小，则uf控硅已坏。然后测控制低与 阴极间正向电阻．用A×100档时．表针布大体处于小心位比。NXP代理商如果队伯很大。大明此站 已7f路。 ’ 双向uJ抨砧6t测丛．原则上句申向可控破相同。将万用电友；让xxlokf2，两只衣悼 任接川”，棚AJ八．友针均阿本动或微动。再将打用Lt疾艘J(×1伴。两只决标侵接Af八 和价：，将控制极勺册’、短接 下后离开．万用电友琐为儿欧列几1“敝的故数。 对于劝中较大的MJ搀61．出扩万用电友友内电池电压太低．可能显小不出导通情况。 这时，IJ加接一下两节I：电池，然后拉上述方法判断。 O高压整流欣iR的测虽： 内于万用42表表内电池电压太低，血接测员高压硅堆的正反JuJ电阻均会显尔很大，难 以判断其好坏。通常可将硅堆勺／J用电表百沉电压档串联，接齐220V文沉电压1：。打均 包表此时的陵数即为硅嫂整流后的脉动电压的平均值。如果电压读数很人，则可能是沈 准内部部分击穿。苍山压读数很小：则表示硅堆内部接触不良或正向，红阻变大．整流能 人很差。苦指针反转，将硅堆的端对调一下即可读数。 ⑦电容纳测丛； 利丹万月电农判断lPF以上的电容器的好坏，足比较容丛的。这时只要用J4×lk或 尺×10k电阻档侧出电容器被订用表内电池充电后的电阻值xEJ可。如果是有正负极性的电 解电容、要注感允Ib极性和耐压值。黑表棒应接电容器正极，红表棒接电容器故极。77 始充电时。电流很大，指针响较大偏转(电阻小)。随着充电时可的延长，指针应逐渐返 回(电阻人)。起始充电对指计摆动越大，说明电容世越大。返gB十电阻读数越大．说明 电容器的漏屯越小。若指针开A6就不摆动，可将电容两脚短接放电后再测。如果放电屑 测量。指针仍不摆动或摆动很小，说明咆容器电般断路或容世很小。若充电后返NDJ．电阻值4；够大，则说明电容器漏电严重。钽电容若指针一直停留在电阻值很小或为零电阻时，说 明电容器两极已短路。 电容量小于1PF的电容器，直接用上述方法测量时，指针摆动很小，难以判断其容 运大小或开路。此时，可将被测电容和万用电表的交流电压档串联起来，再接在适当大 小的交流电压上(视电容器的耐压而定)。测出的交流电压读数越小．电容量越大。根据 电源频率、电表内阻和交流电压的大小，可以估算出电容量的具体数值。 根据电解电容的正向漏电电阻大，反向漏电电阻小的道理，也qJ以用万用屯表判断 电解电容的正负极。具体测量时，应注意每次测量正反向漏电电阻时，最好先将电容两 极短接放电，以免过大的电流将指针汀弯。用只×l ok档