第2章 三极管及其电路分析.pptVIP

本章基本概念 三极管电路的分析方法 本章小结 习 题 1、三极管输出特性曲线是以 为参考量，描述其集电极电流iC和 之间关系的。 2、BJT工作在截止区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。 3、 在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。 A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 4、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（ ）所以Ic也（ ) 。 7、测某电路中三极管各极电位分别是0V、 -6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（ ），该管是（ ）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 8、NPN型共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ ）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 9、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（ ）控制元件。 10、当温度升高时三极管的集电极电流IC（ ），电流放大系数β（　　　　）。 11、设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（ ）。 A ．三极管的 b 增大 B ．三极管的 I CBO 增大 C ． I CQ 增大 D ． U CQ 增大 12、 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS 13、 图示电路中，出现下列哪种故障必使 三极管截止（ ）。 A. RB1 开路 B. RB2 开路 C. RC 短路 D. C E 短路 14、关于 BJT 放大电路中的静态工作点（简称 Q 点），下列说法中不正确的是（ ）。 A ． Q 点过高会产生饱和失真 B ． Q 点过低会产生截止失真 C ． 导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化D ． Q 点可采用微变等效电路法求得 15、双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。 （ ） 16、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（ ）。 a.VC＞VB＞VE b.VC＜VB＜VE c.VE＜VB＞VC d.VE＞VB＜VC 17、某BJT的IE=1mA，IB=20UA，则IC=（ ）mA a.0.98 b.1.02 c.0.8 d.1.2 0 iD/mA -4 uGS/V 5 * 半导体三极管 第 2 章 基本要求 1.掌握三极管的结构及其电流放大原理； 2.掌握三极管的共射输入、输出特性，掌握其工作区域及其特点； 3.掌握三极管电路的直流工作状态、交流工作状态；掌握三极管电路图解法和微变等效电路分析法； 第2 章　半导体三极管 (Semiconductor Transistor) 第 2 章　半导体三极管 1. 晶体三极管的结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP E C B E C B 三极、三区、两结 2. 电流放大原理 （1）三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 （2）满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 第 2 章　半导体三极管 3. 晶体三极管的特性曲线 （1）输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? O 特性基本重合 特性右移 导通电压 U