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光刻工艺的对准方法与流程

本发明涉及光刻工艺技术领域，尤其涉及一种光刻工艺的对准方法。

背景技术：

在采用光刻工艺生产存储器件时，第二功能层图形与第一功能图形之间需要保持精确的对位，才能确保器件正常的工作。为实现上述精确对位的目标，在第一功能图形掩膜版上放置对位标记，通过第一功能图形光刻和刻蚀把相应对位标记留在硅片上，在后续的第二功能层光刻工艺过程中通过侦测第一功能图形的对位标记的位置完成上下层图形的对准。在该工艺过程中，由于第一功能图形的对位标记图形已经通过化学机械抛光工艺进行平坦化，非透明的第二功能层金属薄膜沉积后，第二功能层光刻曝光工艺时光刻机无法侦测到BE的对位标记光学