大功率SiC MOSFET半桥模块高温特性及变换器应用的深度剖析与实践探索.docx

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2025-12-01 发布于上海
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大功率SiCMOSFET半桥模块高温特性及变换器应用的深度剖析与实践探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。在众多功率器件中，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其独特的优势，逐渐成为研究与应用的焦点。SiCMOSFET半桥模块作为构成逆变电路、脉冲宽度调制（PWM）整流电路、多电平变流器等众多电力电子电路的基本单元，在电力电子系统中发挥着关键作用。

SiC材料具备禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等卓越特性，使得SiCMOSFET在高温、高频、高压、高功率密度等应用场景中展现出传统硅基功率器