新型场效应晶体管：原理、制备与应用的深度剖析.docxVIP

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2025-12-01 发布于上海
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新型场效应晶体管：原理、制备与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体技术作为现代信息技术的基石，其发展水平直接影响着电子设备的性能与功能，进而对整个社会的科技进步和经济发展产生深远影响。场效应晶体管（Field-EffectTransistor，FET）作为半导体器件中的关键组成部分，自20世纪50年代问世以来，经历了多次技术革新与升级，在电子领域发挥着举足轻重的作用。从早期的结型场效应晶体管（JFET）到金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），再到如今不断涌现的各种新型场效应晶体管，每一次技术突破都推动了电子设备向更小尺寸、更高性能、更低功