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单晶车间基础理论考试试卷C

姓名：__________考号：__________

一、单选题(共10题)

1.什么是单晶硅的生产工艺中的CZ法？()

A.区熔法

B.水冷法

C.气相外延法

D.区熔法改进型

2.单晶硅生产中，硅烷气体的作用是什么？()

A.作为硅的还原剂

B.作为硅的氧化剂

C.作为硅的载体

D.作为硅的催化剂

3.单晶硅生长过程中，籽晶的作用是什么？()

A.作为生长的模板

B.作为生长的催化剂

C.作为生长的氧化剂

D.作为生长的还原剂

4.单晶硅生产中，温度对晶体生长有什么影响？()

A.温度越高，晶体生长越快

B.温度越高，晶体生长越慢

C.温度越低，晶体生长越快

D.温度越低，晶体生长越慢

5.单晶硅生产过程中，如何提高硅单晶的纯度？()

A.降低生长温度

B.提高生长温度

C.增加硅烷气体流量

D.减少硅烷气体流量

6.单晶硅生产中，CZ法的主要步骤包括哪些？()

A.制备籽晶、熔化硅料、区熔生长、切割抛光

B.制备籽晶、熔化硅料、化学气相沉积、切割抛光

C.制备籽晶、熔化硅料、物理气相沉积、切割抛光

D.制备籽晶、熔化硅料、区熔生长、化学气相沉积

7.单晶硅生产中，区熔生长过程中，如何控制生长速度？()

A.通过改变区熔速度

B.通过改变温度

C.通过改变压力

D.通过改变硅烷气体流量

8.单晶硅生产中，切割抛光的主要目的是什么？()

A.提高硅单晶的纯度

B.提高硅单晶的导电性

C.提高硅单晶的机械强度

D.提高硅单晶的表面光洁度

9.单晶硅生产中，如何防止硅单晶中的位错？()

A.提高生长温度

B.降低生长温度

C.增加硅烷气体流量

D.减少硅烷气体流量

10.单晶硅生产中，籽晶的制备方法有哪些？()

A.化学气相沉积法

B.物理气相沉积法

C.溶液法

D.以上都是

二、多选题(共5题)

11.单晶硅生产过程中，以下哪些因素会影响晶体的生长质量？()

A.硅料纯度

B.气氛压力

C.温度控制

D.载气流量

E.晶体生长速度

12.在CZ法生长单晶硅的过程中，以下哪些步骤是必须的？()

A.制备籽晶

B.熔化硅料

C.区熔生长

D.切割抛光

E.晶体退火

13.单晶硅生产中，用于提纯硅料的方法有哪些？()

A.化学气相沉积法

B.区熔法

C.物理气相沉积法

D.溶液法

E.离子交换法

14.单晶硅生产中，以下哪些是影响晶体生长方向的因素？()

A.晶体生长温度

B.晶体生长速度

C.晶体生长气氛

D.晶体籽晶取向

E.晶体生长炉的结构

15.在单晶硅生产中，以下哪些工艺步骤属于后处理过程？()

A.制备籽晶

B.熔化硅料

C.区熔生长

D.切割抛光

E.晶体化学腐蚀

三、填空题(共5题)

16.单晶硅的生产工艺中，化学气相沉积法的缩写是________。

17.单晶硅生长过程中，用来控制晶体生长方向的关键因素是________。

18.单晶硅生产中，用于将高纯硅料从固态区熔至液态区的方法称为________。

19.在单晶硅生长过程中，为了减少杂质含量，通常使用________进行提纯。

20.单晶硅生产中，切割抛光后的单晶硅片表面需要进行________，以提高其电学性能。

四、判断题(共5题)

21.单晶硅生产过程中，区熔法是一种通过加热和冷却硅料来生长晶体的方法。()

A.正确B.错误

22.单晶硅的纯度越高，其导电性就越差。()

A.正确B.错误

23.在单晶硅生长过程中，籽晶的取向对最终晶体的晶向没有影响。()

A.正确B.错误

24.单晶硅生产中，化学气相沉积法（CZ法）是通过化学反应直接在硅料表面形成单晶硅。()

A.正确B.错误

25.单晶硅生长过程中，温度越高，晶体生长速度越快。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.问：单晶硅生产中，区熔法（CZ法）的基本原理是什么？

27.问：单晶硅生产中，为什么需要使用高纯度的硅料？

28.问：在单晶硅生长过程中，如何控制晶体的生长速度？

29.问：单晶硅生产中的切割抛光工艺有哪些作用？

30.问：单晶硅生产中，如何检测硅单晶的晶体质量？

单晶车间基础理论考试试卷C

一、单选题(共10题)

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