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(2025年)半导体器件和集成电路电镀工理论学习练习试题及答案

一、单项选择题(每题2分,共30分)

1.半导体器件电镀工艺中,电镀液的主盐通常采用()形式提供金属离子。

A.氧化物

B.络合物

C.单质

D.硫化物

答案:B

2.电镀过程中,阴极发生的主要反应是()。

A.金属氧化溶解

B.水分解产生氧气

C.金属离子还原沉积

D.添加剂分解

答案:C

3.以下哪种因素对电镀层晶粒尺寸影响最小?()

A.电流密度

B.电镀液温度

C.基材表面粗糙度

D.电源频率

答案:D

4.集成电路铜互连电镀中,常用的抑制剂(Suppressors)主要作用是()。

A.增加阴极极化

B.减少高电流密度区沉积速率

C.提高电镀液导电性

D.促进低凹区金属填充

答案:B

5.电镀层厚度均匀性主要取决于()。

A.电镀液搅拌强度

B.基材表面清洁度

C.电流分布均匀性

D.电镀时间

答案:C

6.无氰电镀液中,常用的络合剂是()。

A.氰化钾

B.柠檬酸盐

C.硫酸

D.盐酸

答案:B

7.电镀后进行热处理的主要目的是()。

A.去除镀层内应力

B.提高镀层硬度

C.增强耐腐蚀性

D.改善导电性

答案:A

8.半导体TSV(硅通孔)电镀中,对深宽比(AR)要求最高的工艺是()。

A.AR=2:1

B.AR=5:1

C.AR=10:1

D.AR=20:1

答案:D

9.电镀液pH值过低时,最可能出现的问题是()。

A.金属离子水解沉淀

B.阴极析氢加剧

C.阳极钝化

D.镀层发暗

答案:B

10.评价电镀层结合力的常用方法是()。

A.硬度测试

B.热震试验

C.盐雾试验

D.厚度测量

答案:B

11.集成电路金线键合前,电镀金层的关键质量指标是()。

A.厚度均匀性

B.表面粗糙度

C.纯度与致密性

D.耐温性

答案:C

12.电镀过程中,阳极材料选择的核心原则是()。

A.成本最低

B.与镀层金属相同

C.导电性最好

D.溶解速率可控

答案:D

13.以下哪种电镀缺陷与电流密度过高直接相关?()

A.针孔

B.烧焦

C.麻点

D.剥离

答案:B

14.半导体电镀中,超临界CO?清洗的主要优势是()。

A.降低水耗

B.避免孔内残留

C.提高清洗效率

D.减少化学污染

答案:B

15.电镀液维护中,定期分析的关键参数不包括()。

A.金属离子浓度

B.添加剂含量

C.设备电压

D.pH值

答案:C

二、填空题(每空1分,共20分)

1.半导体电镀的核心目的是在基材表面形成具有特定()、()和()的金属层。

答案:厚度;导电性;可靠性

2.电镀液的基本组成包括()、()、()和()。

答案:主盐;络合剂;添加剂;导电盐

3.阴极极化可分为()极化和()极化,其中()极化主要由离子扩散速度决定。

答案:电化学;浓差;浓差

4.集成电路铜电镀中,典型的添加剂体系包含()、()和()三类物质。

答案:加速剂;抑制剂;整平剂

5.电镀层内应力分为()应力和()应力,过高的内应力会导致()。

答案:拉;压;镀层开裂或剥离

6.TSV电镀的关键挑战是实现()填充,避免()和()缺陷。

答案:无空洞;表面凹陷;侧壁沉积不均

三、判断题(每题1分,共10分。正确打“√”,错误打“×”)

1.电镀过程中,阳极面积应小于阴极面积以提高电流效率。()

答案:×

2.电镀液温度升高会降低浓差极化,使镀层晶粒变粗。()

答案:√

3.半导体电镀中,直流电源比脉冲电源更适合高深宽比结构填充。()

答案:×

4.电镀前处理中,粗化的主要目的是增加基材表面的化学活性。()

答案:×(注:主要目的是增加表面积和机械咬合)

5.无铅焊料电镀中,锡银合金比锡铅合金更易形成柯肯达尔空洞。()

答案:√

6.电镀层厚度测量时,X射线荧光法(XRF)适用于薄膜和厚膜的非破坏性检测。()

答案:√

7.电镀液中添加表面活性剂可降低溶液表面张力,减少针孔缺陷。()

答案:√

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