透明氧化锌半导体薄膜晶体管：制备工艺与性能特性的深度剖析.docx

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2025-11-24 发布于上海
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透明氧化锌半导体薄膜晶体管：制备工艺与性能特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，随着科技的飞速发展，对高性能、多功能电子器件的需求日益增长。薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为一种关键的电子器件，在平板显示、触摸屏、传感器等众多领域发挥着不可或缺的作用。其中，氧化锌（ZnO）半导体薄膜晶体管因其独特的性能优势，逐渐成为研究的热点，在现代电子领域占据着关键地位。

氧化锌是一种具有宽带隙的半导体材料，室温下其带隙宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这使得氧化锌在光电器件应用中展现出巨大潜力，例如在紫外探测器和紫外发光二