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半导体材料研究员考试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种是常见的半导体材料？

A.铜

B.硅

C.铁

D.铝

2.本征半导体中载流子是？

A.自由电子

B.空穴

C.自由电子和空穴

D.离子

3.N型半导体主要靠什么导电？

A.自由电子

B.空穴

C.离子

D.质子

4.半导体的导电能力随温度升高而？

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先减弱后增强

5.以下哪种不是半导体的特性？

A.热敏性

B.光敏性

C.超导性

D.掺杂性

6.PN结加正向电压时，其导通电流主要是？

A.扩散电流

B.漂移电流

C.离子电流

D.以上都不是

7.制造晶体管通常使用的半导体材料是？

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.以上都可以

8.半导体材料的禁带宽度比导体？

A.宽

B.窄

C.一样

D.不确定

9.光照会使半导体的导电能力？

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先减弱后增强

10.以下哪种杂质会使硅成为P型半导体？

A.磷

B.硼

C.砷

D.锑

多项选择题（每题2分，共10题）

1.常见的半导体材料有？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.铜

2.影响半导体导电性能的因素有？

A.温度

B.光照

C.掺杂

D.压力

3.PN结的特性有？

A.单向导电性

B.反向击穿特性

C.电容特性

D.超导特性

4.半导体的应用领域包括？

A.电子计算机

B.通信

C.能源

D.医疗

5.以下属于N型半导体杂质的有？

A.磷

B.硼

C.砷

D.锑

6.半导体的导电机制有？

A.电子导电

B.空穴导电

C.离子导电

D.质子导电

7.制造集成电路常用的半导体材料有？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.金刚石

8.半导体材料的特性有？

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.超导性

9.以下哪些是半导体器件？

A.二极管

B.三极管

C.场效应管

D.电阻器

10.提高半导体材料纯度的方法有？

A.区域提纯

B.化学提纯

C.真空熔炼

D.电解精炼

判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.本征半导体中自由电子和空穴的浓度相等。（）

3.P型半导体中只有空穴一种载流子。（）

4.PN结加反向电压时，一定不会有电流通过。（）

5.温度升高，半导体的导电能力减弱。（）

6.半导体材料都具有光敏性。（）

7.掺杂会改变半导体的导电类型和导电能力。（）

8.二极管是一种常用的半导体器件。（）

9.所有半导体材料的禁带宽度都相同。（）

10.光照会使半导体的电阻增大。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述半导体的热敏性。

2.说明PN结的单向导电性。

3.什么是N型半导体和P型半导体？

4.半导体材料有哪些主要应用领域？

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论半导体材料在新能源领域的应用前景。

2.分析半导体技术发展对现代社会的影响。

3.探讨提高半导体材料性能的途径。

4.谈谈半导体材料研究面临的挑战和机遇。

答案

单项选择题答案

1.B

2.C

3.A

4.A

5.C

6.A

7.B

8.A

9.A

10.B

多项选择题答案

1.ABC

2.ABC

3.ABC

4.ABCD

5.ACD

6.AB

7.AC

8.ABC

9.ABC

10.ABC

判断题答案

1.√

2.√

3.×

4.×

5.×

6.×

7.√

8.√

9.×

10.×

简答题答案

1.半导体热敏性指其导电能力随温度升高而增强。温度升高，更多价电子获能量成自由电子，载流子浓度增加，导电能力变强。

2.PN结加正向电压，即P区接正、N区接负，内电场被削弱，扩散电流大，PN结导通；加反向电压，内电场增强，只有小漂移电流，PN结截止，此为单向导电性。

3.N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质，多子是自由电子；P型半导体是掺入三价杂质，多子是空穴。

4.主要应用于电子计算机、通信、能源（如太阳能电池）、医疗（如医疗检测设备）等领域。

讨论题答案

1.在新能源领域，半导体可用于太阳能电池提高光电转换效率，还能用于智能电网的控制和监测，应用前景广阔，有望推动新能源高效利用。

2.半导体技术推动了电子设备小型化、智能化，促进通信发展，改变生活生产方式，提升社会信息化水平，是现代科技进步的关键。

3.可通过优化掺杂工艺、改