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22nm体硅FinFET：总剂量效应与热载流子可靠性的深度剖析.docx

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    22nm体硅FinFET：总剂量效应与热载流子可靠性的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着集成电路技术的飞速发展，器件特征尺寸不断缩小，从传统的平面晶体管逐渐演进到如今的三维结构晶体管。22nm体硅FinFET（鳍式场效应晶体管）作为22nm技术节点的关键器件，因其独特的鳍状结构，在提高器件性能和降低功耗方面展现出显著优势，被广泛应用于高性能计算、移动终端、物联网等众多领域。

    在空间、核辐射等特殊环境中，22nm体硅FinFET会受到高能粒子的辐照，产生总剂量效应。当器件受到总剂量辐照时，在栅氧化层、浅槽隔离等区域会引入氧化层陷阱电荷，同时在氧化层与半导体界面处产生界

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