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“全国大学生电子设计竞赛(西安电子科技大学赛区)2025年竞赛试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.某运放单位增益带宽1MHz，闭环增益20dB，其?3dB带宽约为

A.100kHz?B.50kHz?C.10kHz?D.1kHz

答案：A。单位增益带宽1MHz，闭环增益10倍，带宽=1MHz/10=100kHz。

2.在STM32G4系列MCU中，ADC采样保持时间t?由寄存器位SMP[2:0]控制，若ADC时钟72MHz，SMP=111，则t?为

A.2.5μs?B.4.5μs?C.8.5μs?D.16.5μs

答案：C。SMP=111对应239.5周期，239.5/72M≈3.33μs，加上最小采样窗5.17μs，合计8.5μs。

3.某Buck变换器输入12V，输出5V/2A，测得电感电流纹波0.4A，开关频率500kHz，则所需电感量约为

A.15μH?B.22μH?C.33μH?D.47μH

答案：B。ΔI=V·D·(1?D)/(L·f)，D=5/12，解得L≈22μH。

4.下列关于DDR4SDRAM的表述，错误的是

A.采用8n预取架构?B.支持DBI数据总线倒置?C.激活命令与读写命令之间必须满足tRCD?D.上电后必须立即进行ZQCL校准，否则读写会失效

答案：D。ZQCL允许在上电后稍晚执行，不会立即失效。

5.在Verilog中，若定义reg[7:0]a;initialbegina=8hFF;10a[0]=1b0;5$display(%h,a);end则屏幕输出

A.FE?B.FF?C.00?D.不定

答案：B。非阻塞赋值在5时刻采样，采样时a仍为FF。

6.某二阶RC低通，R=1kΩ，C=100nF，其品质因数Q约为

A.0.25?B.0.5?C.0.707?D.1

答案：B。Q=1/(3?A?)，A?=1，Q=0.5。

7.在LoRaSX1278中，扩频因子SF=9，带宽125kHz，则理论最高数据速率约为

A.0.98kbps?B.1.76kbps?C.3.13kbps?D.5.47kbps

答案：B。R=SF·BW/(2^SF)=9·125k/512≈1.76kbps。

8.某片内RC振荡器温漂±2%，电源灵敏度±1%，若采用片内PLL倍频至400MHz，则综合抖动（rms）最坏估算约为

A.200ps?B.400ps?C.800ps?D.1.2ns

答案：C。抖动≈1/(400M)·√(0.022+0.012)·2π≈800ps。

9.在IIR滤波器实现中，采用二阶节级联的主要目的

A.降低运算量?B.抑制极限环振荡?C.提高并行度?D.减小系数量化误差

答案：B。级联可降低极点灵敏度，抑制极限环。

10.某片GaNHEMT，VGS(th)=1.2V，若要实现0—10A线性放大，栅驱动至少需

A.0—2V?B.0—3V?C.0—4V?D.0—5V

答案：D。GaN跨导大，但线性区窄，需≥5V摆幅。

二、多项选择题（每题3分，共15分，多选少选均不得分）

11.关于USB-CPD3.1，正确的是

A.支持240W功率?B.采用BMC编码?C.线缆需标识E-marker芯片?D.支持PPS调压

答案：ACD。BMC为PD2.0，PD3.1采用BiphaseMark。

12.以下哪些措施可降低开关电源EMI

A.增加snubber?B.采用扩频时钟?C.输出加π型滤波?D.提高开关频率至3MHz

答案：ABC。D反而可能恶化辐射。

13.在4-20mA环路中，若负载250Ω，采用XTR115芯片，下列说法正确的是

A.环路供电可低至7.5V?B.芯片内部提供精密2.5V参考?C.输入0-1V对应4-20mA?D.可二线制传输温度

答案：BCD。A需≥8V。

14.关于CANFD，正确的是

A.数据段可切换至2Mbps?B.采用CRC17校验?C.支持StuffCount?D.帧间隔仍为3位

答案：BC。A可8Mbps，D为3位但可配置。

15.在PCB设计中，为降低串扰，差分对应

A.紧耦合?B.参考平面完整?C.相邻层走线正交?D.采用松耦合并加大间距

答案：ABC。D错误。

三、计算与证明题（共25分）

16.（10分）某ADC