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纳米尺寸下本征参数涨落效应对双栅MOSFET与SRAM可靠性影响探究.docx

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    纳米尺寸下本征参数涨落效应对双栅MOSFET与SRAM可靠性影响探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着集成电路技术持续向纳米尺度迈进，器件尺寸不断缩小，这一发展趋势在带来诸多优势的同时，也引发了一系列严峻挑战。其中，本征参数涨落效应成为了影响纳米尺寸器件性能与可靠性的关键因素之一。

    在纳米尺寸下，器件的特征尺寸已缩小至与原子尺度相当，器件表面及界面状态密度显著增加。制造工艺过程中不可避免的随机分布，如杂质原子的随机掺杂、原子级别的表面粗糙度等，都会导致器件特性出现统计抖动，即本征参数涨落效应（IntrinsicParameterFluctuation，IPF）。这种涨落不再像在较大尺

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