第三章数字电路.pptVIP

反相器结构简单，利用NMOS与PMOS导电的互补性，叫互补对称式MOS电路，称CMOS电路。CMOS电路优点：静态时，流过T1T2的静态电流很小，始终有一个截止功耗为0；输出的高电平基本上是VDD，电源利用率高。第29页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、电压、电流传输特性DDSS第30页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、电压、电流传输特性DDSS第31页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、电压、电流传输特性DDSS第32页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、电压、电流传输特性连起来：DDSS第33页，共79页，星期日，2025年，2月5日三、输入噪声容限结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限第34页，共79页，星期日，2025年，2月5日电流传输特性DDSS第35页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.3.3CMOS反相器的静态输入和输出特性一、输入特性第36页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、输出特性第37页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、输出特性第38页，共79页，星期日，2025年，2月5日第39页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.3.4CMOS反相器的动态特性一、传输延迟时间第40页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、交流噪声容限（自学）三、动态功耗第41页，共79页，星期日，2025年，2月5日三、动态功耗

第42页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.3.5其他类型的CMOS门电路一、其他逻辑功能的门电路1.与非门两个PMOS并联，两个NMOS串联第43页，共79页，星期日，2025年，2月5日2.或非门一、其他逻辑功能的门电路第44页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、漏极开路的门电路（OD门）

菱形表示OD门(a)结构符号第45页，共79页，星期日，2025年，2月5日菱形表示OD门第46页，共79页，星期日，2025年，2月5日三、CMOS传输门及双向模拟开关1.传输门并联，工作状态受C、C?控制。TP的B接高电平TN的B接低电平假如uo加电阻接地TPTNSDDS第47页，共79页，星期日，2025年，2月5日2.双向模拟开关第48页，共79页，星期日，2025年，2月5日四、三态输出门三角形表示三态门第49页，共79页，星期日，2025年，2月5日三态门的用途第50页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.5TTL门电路

3.5.1半导体三极管的开关特性一、双极型三极管的结构管芯+三个引出电极+外壳第51页，共79页，星期日，2025年，2月5日二、三极管的输入特性和输出特性

三极管的输入特性曲线（NPN）与二极管正向特性相似。第52页，共79页，星期日，2025年，2月5日特性曲线分三个部分放大区：特点VBE=0.7V,VCE0.7V,IB0,IC=βIB。饱和区：特点VBE=0.7V,IB0。IB增加，IC不再增加，VCE?0。截止区：特点VBE?0V,IB=0,IC=0,c—e间“断开”。三极管的输出特性第53页，共79页，星期日，2025年，2月5日三、双极型三极管的基本开关电路只要参数合理：VI=VIL时，T截止，VO=VOHVI=VIH时，T导通，VO=VOL第54页，共79页，星期日，2025年，2月5日四、三极管的开关等效电路截止状态饱和导通状态CE之间是断开的开关CE之间近似是闭合的开关第55页，共79页，星期日，2025年，2月5日六、三极管反相器三极管的基本开关电路就是反相器 实际应用中，为保证 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。参数合理？VI=VIL时，T截止，VO=VOHVI=VIH时，T饱和，VO=VOL五、动态开关特性（自学）第56页，共79页，星期日，2025年，2月5日高教出版社第三章数字电路第1页，共79页，星期日，2025年，2月5日正逻辑：高电平表示1，低电平表示0

负逻辑：高电平表示0，低电平表示1

高/低电平都有一个允许的范围第2页，共79页，星期日，2025年，2月5日?门电路分类：分立元件门电路集成门电路?分立元件门