基于GaN工艺的射频器件建模优化技术研究.pdfVIP

基于GaN工艺的射频器件建模优化技术研究.pdf

  1. 1、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

摘要

近些年射频技术的发展十分迅猛,射频微波器件在工程技术上的应用也越来越广泛。为

提升芯片及相关模组的设计效率和设计精度,需要针对射频器件在不同频率下的射频特性进

行准确刻画。上述任务一方面可以通过行为级建模的方式予以描述,另一方面可以通过准确

的三维全波电磁仿真方法进行分析计算来描述。然而,随着频率增加,射频器件的等效电路

模型参数在不同的应用场景下会出现一定的偏差,传统的经验模型将不再适用,而通过电磁

仿真的方式获得器件特性又耗时耗力。随着计算机硬件的提升、大数据的涌现以及算法的改

进,人工智能技术依靠其强大的非线性映射能力逐渐开始应用到电路设计中。近些年人工智

能技术的迅猛发展也为射频器件建模及优化打下了坚实的基础。

在本文中,结合具体第三代化合物半导体GaN工艺,提出了一种基于人工智能的射频建

模方法。具体而言,以微带线模型为基本模型,在经验模型修正的基础上,引入了基于人工

智能(ArtificialIntelligence,AI)的建模优化方法,开发出混合型微带线模型,有效提升了模型

精度和适用范围。

本文研究的主要内容及创新性为:

首先,由三维电磁仿真软件仿真射频器件的特性参数作为数据集,使用人工智能的算法

训练生成可以代替仿真工具的AI模型,此模型可以加速生成射频特性参数的过程,代替电磁

仿真工具,提高射频电路设计迭代效率;

其次,以具体工艺的微带线为基本器件样例,基于传统经验模型提出了一种针对频率、

多层介质及衬底损耗影响的新的修正模型,并验证其准确性;

最后,提出修正模型、遗传算法与AI模型相结合的混合模型,实现从设计目标参数到物

理参数的整体优化。这种建模方法可以加速设计微带线构成器件的过程,准确的修正模型及

误差小的遗传算法优化方式可以简化传统多次设计仿真的冗长迭代过程。

关键词:人工智能,AI模型,GaN,修正模型,微带线,遗传算法

ABSTRACT

Inrecentyears,thedevelopmentofradiofrequencytechnologyhasbeenveryrapid,andthe

applicationofradiofrequencymicrowavedevicesinengineeringtechnologyhasbecomemoreand

moreextensive.Inordertoimproveefficiencyanddesignaccuracyofchipsandrelatedmodules,it

isnecessarytoaccuratelycharacterizetheradiofrequencycharacteristicsofradiofrequencydevices

atdifferentfrequency.Ontheonehand,theabovetaskscanbedescribedbybehavior-levelmodeling,

ontheotherhand,theycanbedescribedbyanalysisandcalculationthroughaccuratethree-

dimensionalfull-waveelectromagneticsimulationmethods.However,asthefrequencyincreases,the

equivalentcircuitmodelparametersoftheRFdeviceswillshowacertaindeviationindifferent

applicationscenarios,andthetraditionalempiricalmodelwillnolongerbeapplicable.Itistime-

consumingandlabor-consumingtoobtaindevicecharacteristicsthroughelectromagneticsimulation.

Withtheimprovementofcompu

文档评论(0)

n1u1 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档