单极型晶体管场效应管.pptVIP

第1页，共12页，星期日，2025年，2月5日单极型晶体管2-4-1结型场效应管2-4-2绝缘栅型场效应管(MOS管)2-4-3场效应管特性参数2-4-4场效应管与三极管特性比较退出第2页，共12页，星期日，2025年，2月5日2-4-1结型场效应管双、单极型晶体管区别——1)双极型：属电流控制型2)单极型：属电压控制型场效应管分类(FET)——1)结型（JFET）:“P沟道”，空穴导电“N沟道”，电子导电2)绝缘栅型（MOS）：“增强型PMOS、NMOS”“耗尽型PMOS、NMOS”1.结构与符号第3页，共12页，星期日，2025年，2月5日(a)N沟道(b)P沟道导通条件——N沟道：uGS≤0、uDS0P沟道：uGS≥0、uDS0第4页，共12页，星期日，2025年，2月5日2.特性曲线（以N沟道为例）N沟道结型场效应管特性曲线可变电阻区饱和区截止区击穿区饱和漏电流第5页，共12页，星期日，2025年，2月5日1)可变电阻区——D、S间等效电阻RDS栅源电压负值↑→输出特性愈倾斜→RDS↑→称”可变电阻区”2)饱和区（恒流区）——在放大电路中，一般就工作在这个区域iD受uGS控制（电压控制型），且近似线性关系（线段平行、等间距），所以称为线性放大区或恒流区。3)截止区（夹断区）——iD≈0击穿区——当uGS↑↑→耗尽层的电压↑↑→栅漏间的PN结雪崩击穿→iD↑→管子不能正常工作，不允许工作在这个区域2-4-2绝缘栅型场效应管(MOS管)——栅极不导电，G—S间等效电阻非常大，约1015Ω第6页，共12页，星期日，2025年，2月5日1.结构与符号（仅给出NMOS。PMOS只是衬底电流方向相反）N沟道绝缘栅场效应管的结构及符号(a)结构(b)增强型NMOS(c)耗尽型NMOS第7页，共12页，星期日，2025年，2月5日2.特性曲线（以增强型NMOS为例）第8页，共12页，星期日，2025年，2月5日总结：1）增强型MOS管——加入uGS电压→沟道形成→导通要求：NMOS——uGSUGS(th)0PMOS——uGSUGS(th)0UGS(th)→“开启电压”，即沟道形成的最小电压增强型MOS管所特有2）耗尽型MOS管——制造时内部已存在一个导电沟道当uGS=0、uGS≠0时→电流为常量IDSS→称“漏极饱和电流”当uGS=UGS(off)时→原有导电沟道夹断→不导电UGS(off)→“夹断电压”，耗尽型MOS管所特有3）其它类型场效应管工作特性——见书P632-4-3场效应管特性参数第9页，共12页，星期日，2025年，2月5日