供配电工程师《电力电子专项（实践应用）》2024-2025学年第一学期检测试卷及答案.docVIP

供配电工程师《电力电子专项（实践应用）》2024-2025学年第一学期检测试卷及答案

一、选择题(本大题总共15小题，每题2分，共30分）

1.电力电子技术主要研究的是（）之间的变换和控制技术。

A.电能与机械能

B.电能与热能

C.电能与其他形式能

D.机械能与热能

答案：C

解析：电力电子技术主要研究电能与其他形式能之间的变换和控制技术。

2.以下哪种器件属于半控型器件（）。

A.晶闸管

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力场效应晶体管

D.门极可关断晶闸管

答案：A

解析：晶闸管属于半控型器件，其导通由门极控制，关断需要外部条件。

3.单相桥式全控整流电路，电阻性负载，晶闸管承受的最大反向电压是（）。

A.√2U2

B.2√2U2

C.√2U2/2

D.U2

答案：A

解析：在单相桥式全控整流电路电阻性负载时，晶闸管承受的最大反向电压是√2U2。

4.三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α增大时，输出电压平均值（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：三相半波可控整流电路电阻性负载，控制角α增大，输出电压平均值减小。

5.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=100V，导通比D=0.4，则输出电压平均值U0为（）。

A.40V

B.60V

C.100V

D.250V

答案：A

解析：降压斩波电路输出电压平均值U0=D×Ud=0.4×100=40V。

6.升压斩波电路中，已知电源电压Ud=50V，电感L足够大，电容C足够大，导通时间ton=100μs，关断时间toff=200μs，则输出电压平均值U0为（）。

A.50V

B.75V

C.100V

D.150V

答案：D

解析：升压斩波电路输出电压平均值U0=Ud/(1-D)，D=ton/(ton+toff)=100/(100+200)=1/3，U0=50/(1-1/3)=150V。

7.单相交流调压电路，采用相位控制方式，当控制角α增大时，负载电压有效值（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：单相交流调压电路采用相位控制方式，控制角α增大，负载电压有效值减小。

8.三相交流调压电路，采用星形联结，电阻性负载，当控制角α增大时，负载电流有效值（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：三相交流调压电路电阻性负载，控制角α增大，负载电流有效值减小。

9.直流-直流变流电路包括（）。

A.整流电路

B.逆变电路

C.斩波电路

D.交流调压电路

答案：C

解析：直流-直流变流电路包括斩波电路。

10.以下哪种电路可以实现有源逆变（）。

A.单相桥式全控整流电路

B.三相半波可控整流电路

C.降压斩波电路

D.升压斩波电路

答案：A

解析：单相桥式全控整流电路在一定条件下可实现有源逆变。

11.电力电子器件的损耗主要包括（）。

A.导通损耗

B.关断损耗

C.开关损耗

D.以上都是

答案：D

解析：电力电子器件的损耗包括导通损耗、关断损耗、开关损耗等。

12.绝缘栅双极晶体管的英文缩写是（）。

A.GTO

B.IGBT

C.MOSFET

D.SCR

答案：B

解析：绝缘栅双极晶体管英文缩写是IGBT。

13.电力场效应晶体管属于（）器件。

A.电流控制型

B.电压控制型

C.功率控制型

D.频率控制型

答案：B

解析：电力场效应晶体管属于电压控制型器件。

14.以下哪种电路可用于直流电动机的调速（）。

A.整流电路

B.逆变电路

C.PWM控制电路

D.交流调压电路

答案：C

解析：PWM控制电路可用于直流电动机的调速。

15.晶闸管触发电路中，脉冲变压器起到的作用是（）。

A.放大脉冲功率

B.隔离主电路与控制电路

C.提高脉冲前沿陡度

D.以上都是

答案：D

解析：脉冲变压器在晶闸管触发电路中起到放大脉冲功率、隔离主电路与控制电路、提高脉冲前沿陡度等作用。

二、填空题(本大题总共5题，每题4分，共20分)

1.电力电子技术的核心是对电力电子器件的（）和（）。

答案：控制、变换

解析：电力电子技术核心就是对电力电子器件进行控制和变换。

2.单相桥式全控整流电路中，晶闸管的触发脉冲应采用（）触发方式，触发脉冲的宽度应大于（）。

答案：双窄脉冲、60°

解析：单相桥式全控整流电路晶闸管采用双窄脉冲触发，触发脉冲宽度大于60°。

3.三相桥式全控整流电路电阻性负载，输出电压平均值的计算公式为（）。

答案：U0=