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2025年西安交通大学4年课程考试《模拟电子技术》考查课试题答案
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.当温度升高时，硅二极管的正向压降将（）。
A.增大B.减小C.不变D.先增后减
答案：B
解析：温度每升高1℃，二极管正向压降约减小2mV，这是由半导体材料的温度特性决定的。
2.某三极管的发射极电流Ie=2mA，β=100，则基极电流Ib约为（）。
A.20μAB.20mAC.0.2μAD.2μA
答案：A
解析：Ie=Ib+Ic≈(1+β)Ib，故Ib≈Ie/(1+β)=2mA/101≈19.8μA≈20μA。
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