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摘要
摘要
氮化铌(NbN)薄膜具有16K的超导转变温度和2.5meV的超导能隙,广
泛应用于超导器件中,是制备约瑟夫森效应器件及微弱光电子探测器件最为常用
的材料之一。由于NbN薄膜与氧化镁(MgO)的晶格常数较为匹配,因此在薄
膜制备时常选用MgO衬底,然而MgO易于潮解而不稳定、硬度高、脆性大,在
减薄方面会面临很大挑战。硅(Si)作为微电子学的重要材料,加工工艺既兼容
又成熟,在太赫兹波段和红外波段
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