第14章二极管和晶体管备.pptVIP

3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO?IBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数通常定义为静态(直流)电流放大倍数。称为动态(交流)电流放大倍数。第62页，共98页，星期日，2025年，2月5日14.5.3特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线第63页，共98页，星期日，2025年，2月5日发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA?AVUCEUBERBIBECV++––––++第64页，共98页，星期日，2025年，2月5日1.输入特性特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE?0.6~0.7VPNP型锗管UBE??0.2~?0.3VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1VO第65页，共98页，星期日，2025年，2月5日2.输出特性IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。在放大区有IC=?IB，也称为线性区，具有恒流特性。第66页，共98页，星期日，2025年，2月5日1、的微小变化会引起的较大变化；2、，是由和决定的。晶体管处于放大区的特征：3、4、晶体管相当于通路。第67页，共98页，星期日，2025年，2月5日IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)912O（2）截止区IB0以下区域为截止区，有IC?0。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。饱和区截止区（3）饱和区当UCE?UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，?IB?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES?0.3V，锗管UCES?-0.1V。晶体管相当于开路第68页，共98页，星期日，2025年，2月5日1、增加时，基本不变。2、，是由和决定的。晶体管处于饱和区的特征：3、4、晶体管相当于短路。第69页，共98页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管实物图片第30页，共98页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片第31页，共98页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片第32页，共98页，星期日，2025年，2月5日14.3.2伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。第33页，共98页，星期日，2025年，2月5日二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。问题：如何判断二极管的好坏及其正负极性？第34页，共98页，星期日，2025年，2月5日14.3.3主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的