原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族Ge半导体的协同效应：界面与电学性能探索.docx

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2025-10-26 发布于上海
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原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族Ge半导体的协同效应：界面与电学性能探索.docx

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原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族Ge半导体的协同效应：界面与电学性能探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体技术的发展进程中，摩尔定律一直是推动行业前行的重要准则。摩尔定律指出，集成电路芯片上所集成的电子器件数目每隔18-24个月便会翻一倍，微处理器的性能也会相应提升一倍，或者价格降低一半。在这一规律的驱动下，半导体器件尺寸持续缩小，集成电路的性能不断提升，成本逐渐降低，推动了信息技术的飞速发展。然而，随着器件尺寸缩小至纳米尺度，传统的硅基CMOS技术面临着诸多严峻挑战。例如，当晶体管尺寸不断缩小时，短沟道效应愈发显著，导致迁移率降低、漏电流增大以及功耗增加等问题。以英