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自动化技术员《模拟电子(专业)》2024-2025学年第一学期期中试卷及答案
一、选择题(本大题总共15小题,每题2分,共30分)
1.半导体中的自由电子是由()产生的。
A.价电子脱离共价键形成
B.空穴的移动
C.杂质原子提供
D.本征激发和杂质激发共同产生
答案:A
解析:半导体中的自由电子是由价电子脱离共价键形成的。
2.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法确定
答案:A
解析:温度升高时,二极管的反向饱和电流增大。
3.稳压二极管正常工作时应处于()。
A.正向导通状态
B.反向截止状态
C.反向击穿状态
D.不确定
答案:C
解析:稳压二极管正常工作时处于反向击穿状态。
4.三极管工作在放大区时,发射结和集电结的偏置情况是()。
A.发射结正偏,集电结正偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏
答案:B
解析:三极管工作在放大区时,发射结正偏,集电结反偏。
5.某三极管的β=100,IC=1mA,则IB为()。
A.1μA
B.10μA
C.100μA
D.1mA
答案:B
解析:根据β=IC/IB,可得IB=IC/β=1mA/100=10μA。
6.共发射极放大电路中,输出电压与输入电压的相位关系是()。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
答案:B
解析:共发射极放大电路输出电压与输入电压相位相反。
7.放大电路的静态工作点设置过高会出现()。
A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.线性失真
答案:B
解析:静态工作点设置过高会进入饱和区,出现饱和失真。
8.多级放大电路的总电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数的()。
A.之和
B.之差
C.之积
D.之商
答案:C
解析:多级放大电路总电压放大倍数等于各级放大倍数之积。
9.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是()。
A.元件老化
B.晶体管参数受温度影响
C.电源电压不稳定
D.放大倍数太大
答案:B
解析:直接耦合放大电路零点漂移主要是晶体管参数受温度影响。
10.集成运算放大器的输入级通常采用()。
A.共发射极放大电路
B.共集电极放大电路
C.差动放大电路
D.共基极放大电路
答案:C
解析:集成运放输入级通常采用差动放大电路。
11.理想运算放大器的开环电压放大倍数为()。
A.0
B.1
C.∞
D.不确定
答案:C
解析:理想运放开环电压放大倍数为无穷大。
12.反相比例运算电路中,输入电阻与反馈电阻之间的关系是()。
A.输入电阻等于反馈电阻
B.输入电阻大于反馈电阻
C.输入电阻小于反馈电阻
D.无关系
答案:C
解析:反相比例运算电路输入电阻小于反馈电阻。
13.同相比例运算电路的电压放大倍数为()。
A.1
B.大于1
C.小于1
D.不确定
答案:B
解析:同相比例运算电路电压放大倍数大于1。
14.加法运算电路可实现几个输入信号的()。
A.相加
B.相减
C.相乘
D.相除
答案:A
解析:加法运算电路实现输入信号相加。
15.电压比较器的输出电压只有()。
A.高电平
B.低电平
C.高电平和低电平两种状态
D.不确定
答案:C
解析:电压比较器输出电压只有高电平和低电平两种状态。
二、填空题(本大题总共5题,每题4分,共20分)
1.半导体分为()、()和()三大类。
答案:本征半导体、杂质半导体、化合物半导体
解析:半导体按导电性能分为本征半导体、杂质半导体,按化学成分分为化合物半导体等。
2.二极管的主要参数有()、()和()。
答案:最大整流电流、反向电流、最高反向工作电压
解析:这是二极管的三个重要参数。
3.三极管的三个工作区域分别是()、()和()。
答案:放大区、饱和区、截止区
解析:三极管有这三个工作区域。
4.多级放大电路的耦合方式有()、()和()。
答案:直接耦合、阻容耦合、变压器耦合
解析:这是多级放大电路的三种耦合方式。
5.集成运算放大器的组成部分有()、()、()和()。
答案:输入级、中间级、输出级、偏置电路
解析:集成运放由这四部分组成。
三、判断题(本大题总共6题,每题加4分,共24分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。()
答案:√
解析:半导体导电能力就是介于导体和绝缘体之间。
2.二极管加正向电压时一定导通。()
答案:×
解析:二极管加正向电压超过
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