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半导体芯片制造工岗前核心实操考核试卷含答案

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半导体芯片制造工岗前核心实操考核试卷含答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核旨在检验学员对半导体芯片制造工艺的实操技能掌握程度，确保学员具备从事半导体芯片制造工岗位所需的基本实操能力，以适应实际工作需求。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.半导体芯片制造中，用于去除晶圆表面杂质和氧化层的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

2.在半导体制造过程中，用于将硅片表面形成氧化层的步骤是（）。

A.光刻

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.化学机械抛光

3.半导体器件中，用于提高器件导电性的掺杂方法是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

4.在晶圆制造过程中，用于检测晶圆缺陷的设备是（）。

A.光刻机

B.离子注入机

C.扫描电子显微镜

D.化学机械抛光机

5.半导体芯片制造中，用于将电路图案转移到晶圆上的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.光刻

D.化学机械抛光

6.在半导体制造中，用于在硅片表面形成绝缘层的材料是（）。

A.硅

B.硅锗

C.氧化硅

D.硅氮化物

7.半导体器件中，用于提高器件耐压能力的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

8.在晶圆制造过程中，用于去除晶圆表面污染物的方法是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

9.半导体芯片制造中，用于在硅片表面形成导电层的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.光刻

D.化学机械抛光

10.在半导体制造过程中，用于检测硅片表面缺陷的设备是（）。

A.光刻机

B.离子注入机

C.扫描电子显微镜

D.化学机械抛光机

11.半导体器件中，用于在硅片表面形成绝缘层的材料是（）。

A.硅

B.硅锗

C.氧化硅

D.硅氮化物

12.在晶圆制造过程中，用于去除晶圆表面氧化层的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

13.半导体芯片制造中，用于在硅片表面形成导电层的材料是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.光刻

D.化学机械抛光

14.在半导体制造过程中，用于检测硅片表面缺陷的设备是（）。

A.光刻机

B.离子注入机

C.扫描电子显微镜

D.化学机械抛光机

15.半导体器件中，用于提高器件导电性的掺杂方法是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

16.在晶圆制造过程中，用于去除晶圆表面污染物的方法是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

17.半导体芯片制造中，用于将电路图案转移到晶圆上的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.光刻

D.化学机械抛光

18.在半导体制造中，用于在硅片表面形成绝缘层的材料是（）。

A.硅

B.硅锗

C.氧化硅

D.硅氮化物

19.半导体器件中，用于提高器件耐压能力的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

20.在晶圆制造过程中，用于检测晶圆缺陷的设备是（）。

A.光刻机

B.离子注入机

C.扫描电子显微镜

D.化学机械抛光机

21.半导体芯片制造中，用于去除晶圆表面杂质和氧化层的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

22.在半导体制造过程中，用于将硅片表面形成氧化层的步骤是（）。

A.光刻

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.化学机械抛光

23.半导体器件中，用于提高器件导电性的掺杂方法是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学机械抛光

D.热氧化

24.在晶圆制造过程中，用于检测晶圆缺陷的设备是（）。

A.光刻机

B.离子注入机

C.扫描电子显微镜

D.化学机械抛光机

25.半导体芯片制造中，用于将电路图案转移到晶圆上的工艺是（）。

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.光刻

D.化学机械