天津大学《半导体物理学》课件-第3章 杂质半导体的载流子浓度.pdfVIP

天津大学《半导体物理学》课件-第3章 杂质半导体的载流子浓度.pdf

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3.4杂质半导体的载流子浓度

3.4.1杂质能级上的电子和空穴

➢能带中的能级——可以容纳两个电子

全空

➢杂质能级——可以容纳一个电子

全空

1

杂质能级的分布函数

◼电子占据施主能级的概率:

1

fD(E)

1E−E

1+exp(DF)

gkT

D0

◼空穴占据受主能级的概率:

1

fA(E)

1E−E

1+exp(FA)

gkT

A0

g是施主能级的基态简并度,g是受主能级的基态简并度,通常称为简并因子,

DA

对于硅、锗、砷化镓等材料g=2,g=4。2

DA

杂质能级的分布函数

◼当E-EkT时,f(E)→0

DF0D

◼当E-EkT时,f(E)→1

FD0D

◼一般情况下0f(E)1,当E=E时,

DDF

f(E)=g/(1+g)=2/3

DDD

3

杂质能级上的电子和空穴

施主能级上的电子浓度电离施主浓度

(未电离的施主浓度)(向导带激发电子的浓度)

nDNDfD(E)n+ND=−nDND[1=−fD(E)]

D

N

DN

D

1E−E

DFE−E

1+exp()1+2

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