深度剖析VCMA-MTJ电学模型及其在读写电路中的创新应用.docx

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2025-10-16 发布于上海
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深度剖析VCMA-MTJ电学模型及其在读写电路中的创新应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体存储技术在信息技术领域扮演着举足轻重的角色，广泛应用于计算机、移动设备、数据中心等各个领域，是实现数据存储与处理的关键支撑技术。随着半导体工艺的不断进步，存储器件的尺寸持续缩小，集成度日益提高，然而，这也带来了严峻的静态能耗问题。静态能耗主要源于漏电流，在集成电路不进行数据处理活动时依然存在，并且随着晶体管尺寸的减小，漏电流效应愈发显著，这不仅降低了能源利用效率，增加了散热成本，还对存储设备的性能和可靠性产生了负面影响，限制了半导体存储技术的进一步发展。

磁电随机访问内存（Me