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磁控溅射法制备掺钒氧化锌薄膜：结构与性能的深度解析.docx

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    磁控溅射法制备掺钒氧化锌薄膜：结构与性能的深度解析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    氧化锌（ZnO）薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料，在现代材料科学与技术领域中展现出了独特的优势与广泛的应用前景。ZnO晶体呈现六方纤锌矿结构，在常温条件下，其禁带宽度大约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这些特性使得ZnO薄膜在光电器件、传感器、压电装置等多个领域中都扮演着关键角色。在光电器件方面，凭借其良好的光电特性，ZnO薄膜被广泛应用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及紫外探测器等的制造。其较大的室温激子束缚能，使得激子在室温下能够稳定存在，为实现高效的发光和探测提供了

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