半导体二极管及其应用电路.pptVIP

图1.11二极管伏安特性曲线第30页，共73页，星期日，2025年，2月5日1.正向特性?二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图1.6中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图1.11中AB(A′B′)段。第31页，共73页，星期日，2025年，2月5日二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。2.反向特性二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图1.11中OC（OC′）段。第32页，共73页，星期日，2025年，2月5日3.反向击穿特性二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图1.11中CD(C′D′)段。4.温度对特性的影响由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。第33页，共73页，星期日，2025年，2月5日1.2.4半导体二极管的主要参数?1.最大整流电流IF2.最大反向工作电压URM3.反向饱和电流IR4.二极管的直流电阻R5.最高工作频率fM第34页，共73页，星期日，2025年，2月5日1.2.5二极管的简易测试将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。如图1.12所示,第35页，共73页，星期日，2025年，2月5日图1.12万用表简易测试二极管示意图(a)电阻小；(b)电阻大第36页，共73页，星期日，2025年，2月5日1.2.6二极管使用注意事项?二极管使用时，应注意以下事项：(1)二极管应按照用途、参数及使用环境选择。?(2)使用二极管时,正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。(3)更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。(4)二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于2mm,以免造成引线折断或外壳破裂。第37页，共73页，星期日，2025年，2月5日1.3整流滤波电路1.3.1整流电路1.单相半波整流电路1）电路的组成及工作原理图1.14(a)所示为单相半波整流电路。由于流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波,故称半波整流。第38页，共73页，星期日，2025年，2月5日第39页，共73页，星期日，2025年，2月5日图1.14单相半波整流电路及波形图(a)电路图；(b)波形图第40页，共73页，星期日，2025年，2月5日2）负载上的直流电压和直流电流直流电压是指一个周期内脉动电压的平均值。即(1.1)流过负载RL上的直流电流为(1.2)3）整流二极管参数由图1.14(a)可知,流过整流二极管的平均电流IV与流过负载的电流相等,即?第41页，共73页，星期日，2025年，2月5日（1.3）