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重庆2025自考[大功率半导体科学]英语(二)高频题(考点)
一、选择题(每题2分,共20题)
1.WhichofthefollowingisNOTamajormaterialusedinhigh-powersemiconductordevices?
A.Siliconcarbide(SiC)
B.Galliumnitride(GaN)
C.Indiumphosphide(InP)
D.Silicon(Si)
2.Inthecontextofhigh-powersemiconductordevices,whatdoesthetermthermalconductivityreferto?
A.Theabilityofamaterialtoconductelectricity.
B.Theabilityofamaterialtodissipateheat.
C.Theresistancetocurrentflow.
D.Thefrequencyofoscillation.
3.WhatistheprimaryadvantageofGaN-baseddevicesoverSi-baseddevicesinhigh-powerapplications?
A.Lowercost.
B.Higherbreakdownvoltage.
C.Loweroperatingtemperature.
D.Betterradiationresistance.
4.Whichofthefollowingisakeychallengeinfabricatinghigh-powersemiconductordevicesinChongqing?
A.Lackofskilledlabor.
B.Limitedsemiconductormanufacturinginfrastructure.
C.Highenergycosts.
D.Abundantrawmaterialresources.
5.WhatdoestheacronymSiCstandforinthecontextofsemiconductormaterials?
A.SiliconCarbonide.
B.SiliconCompound.
C.SiliconCrystal.
D.SiliconCarbon.
6.Whichofthefollowingisacommonissueinhigh-powersemiconductordevicesduetohighcurrentdensity?
A.Reducedlifespan.
B.Increasedefficiency.
C.Lowerpowerloss.
D.Improvedthermalstability.
7.Whatistheprimaryfunctionofaheatsinkinhigh-powersemiconductordevices?
A.Toincreasecurrentflow.
B.Toreducevoltagedrop.
C.Todissipateexcessheat.
D.Toenhancedeviceswitchingspeed.
8.Whichofthefollowingmaterialsisknownforitshighthermalconductivityandisoftenusedinhigh-powersemiconductorpackages?
A.Aluminumoxide(Al?O?).
B.Diamond.
C.Silicondioxide(SiO?).
D.Tungstencarbide(WC).
9.Whatisthetermforthevoltageatwhichasemiconductordevicebreaksdownandallowscurrenttoflow?
A.Cut-offvoltage.
B.Breakdownvoltage.
C.Operatingvoltage.
D.Saturationvoltage.
10.Whichof
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