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北京2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术模拟题及答案

一、单项选择题（共20题，每题1分）

1.在硅片中形成高浓度掺杂区域的主要方法是？

A.离子注入

B.扩散

C.氧化

D.外延生长

2.光刻工艺中，用于提高分辨率的关键材料是？

A.聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）

B.二氧化硅（SiO?）

C.硅烷（SiH?）

D.氮化硅（Si?N?）

3.沉积氮化硅（Si?N?）的常用方法不包括？

A.氮化等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

B.高温热氧化

C.化学气相沉积（CVD）

D.氮化炉热沉积

4.硅片表面钝化层的主要作用是？

A.提高导电性

B.防止表面电荷积累

C.增加光刻对比度

D.促进离子注入

5.半导体制造中，干法刻蚀的主要优点是？

A.刻蚀速率高

B.刻蚀均匀性好

C.无污染

D.设备成本低

6.衡量光刻胶性能的关键参数是？

A.感光速度

B.附着力

C.薄膜厚度

D.清除速率

7.氮化硅（Si?N?）在MOSFET器件中的作用是？

A.源极和漏极

B.栅极氧化层

C.介质隔离层

D.衬底材料

8.半导体器件的可靠性测试中，高温反偏（HRB）测试主要用于评估？

A.电流稳定性

B.击穿电压

C.集成度

D.功率密度

9.氮等离子体刻蚀主要用于刻蚀哪种材料？

A.硅（Si）

B.二氧化硅（SiO?）

C.氮化硅（Si?N?）

D.多晶硅

10.半导体制造中，退火的主要目的是？

A.增加掺杂浓度

B.减少晶格缺陷

C.提高表面粗糙度

D.增加薄膜厚度

11.光刻胶的类型不包括？

A.正胶

B.负胶

C.中性胶

D.氮化胶

12.硅片清洗中，HF（氢氟酸）主要用于去除？

A.氧化层

B.硅片表面污染物

C.氮化硅层

D.多晶硅层

13.沉积二氧化硅（SiO?）的常用方法不包括？

A.氧化炉热生长

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.热氧化沉积

D.化学气相沉积（CVD）

14.MOSFET器件中，栅极氧化层的厚度通常为？

A.1-2nm

B.10-20nm

C.100-200nm

D.1-2μm

15.半导体制造中，原子层沉积（ALD）的主要优点是？

A.沉积速率快

B.高温稳定性

C.极薄层控制精度高

D.设备成本低

16.刻蚀均匀性差的主要原因是？

A.刻蚀气体不纯

B.硅片温度过高

C.刻蚀剂量过大

D.光刻胶保护不均

17.硅片表面缺陷的主要来源是？

A.氧化工艺不均

B.离子注入能量过高

C.清洗不彻底

D.以上都是

18.半导体器件的功率密度测试中，主要关注？

A.功率损耗

B.热稳定性

C.频率响应

D.击穿电压

19.光刻工艺中，曝光剂量过大会导致？

A.图案清晰度提高

B.图案变形

C.清除速率加快

D.感光过度

20.氮化硅（Si?N?）的化学性质特点是？

A.易溶于水

B.耐高温氧化

C.导电性好

D.易被氢氟酸腐蚀

二、多项选择题（共10题，每题2分）

1.半导体制造中，常用的沉积方法包括？

A.化学气相沉积（CVD）

B.喷涂沉积

C.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

D.原子层沉积（ALD）

2.光刻工艺中，影响分辨率的主要因素包括？

A.光源波长

B.光刻胶类型

C.硅片温度

D.透镜质量

3.硅片清洗的常用化学品包括？

A.硫酸（H?SO?）

B.氢氟酸（HF）

C.超纯水

D.草酸（H?C?O?）

4.半导体器件的可靠性测试包括？

A.高温反偏（HRB）测试

B.高低温循环测试

C.振动测试

D.电流寿命测试

5.沉积氮化硅（Si?N?）的常用方法包括？

A.PECVD

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.化学气相沉积（CVD）

D.热沉积

6.光刻胶的类型包括？

A.正胶

B.负胶

C.中性胶

D.氮化胶

7.硅片表面钝化层的主要作用包括？

A.防止表面电荷积累

B.提高器件寿命

C.增加光刻对比度

D.提高导电性

8.干法刻蚀的常用方法包括？

A.氮等离子体刻蚀

B.氧化等离子体刻蚀

C.硅烷（SiH?）刻蚀

D.氢氟酸（HF）刻蚀

9.半导体制造中，常用的清洗步骤包括？

A.SC1清洗

B.SC2清洗

C.DHF清洗

D.超纯水清洗

10.原子层沉积（ALD）的优点包括？

A.极薄层控制精度高

B.高温稳定性

C.沉积速率快

D.设备成本低

三、判断题（共10题，每题1分）

1.光刻胶的感光速度越快，