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江苏2025自考[大功率半导体科学]英语(二)考前冲刺练习题
一、选择题(每题1分,共20分)
说明:每题只有一个最佳答案。
1.WhatdoessemiconductormeaninEnglish?
A.导体B.绝缘体C.半导体D.超导体
2.Whichofthefollowingisacommonmaterialforhigh-powersemiconductordevices?
A.SiliconB.CopperC.GoldD.Silver
3.WhatisthefullformofIGBT?
A.InsulatedGateBipolarTransistorB.IntegratedGateBipolarTransistor
C.IsolatedGateBipolarTransistorD.InducedGateBipolarTransistor
4.WhatdoesVDSstandforinaMOSFET?
A.Drain-to-SourceVoltageB.Gate-to-SourceVoltage
C.Drain-to-GateVoltageD.Source-to-DrainVoltage
5.Whichofthefollowingisamajorchallengeinhigh-powersemiconductorapplications?
A.LowpowerconsumptionB.Highthermalconductivity
C.HighswitchingfrequencyD.Highcost
6.Whatisthefunctionofaheatsinkinhigh-powersemiconductordevices?
A.ToincreasecurrentB.Todecreasevoltage
C.TodissipateheatD.Tostoreenergy
7.WhichmaterialiscommonlyusedforgatedielectricsinMOSFETs?
A.SilicondioxideB.Siliconnitride
C.SiliconcarbideD.Galliumarsenide
8.WhatisthetypicalbreakdownvoltageofapowerMOSFET?
A.Below100VB.100V–1000V
C.Above1000VD.Below10V
9.WhatdoesSOAstandforinsemiconductorreliability?
A.ShortOperatingAmplifierB.SafeOperatingArea
C.SuperOperatingAmplifierD.SustainableOperatingArea
10.WhichofthefollowingisakeyadvantageofSiCMOSFETsoverSiMOSFETs?
A.LowercostB.Higheroperatingtemperature
C.LowerefficiencyD.Lowerbreakdownvoltage
11.WhatisthepurposeofagateresistorinIGBTcircuits?
A.ToincreasecurrentB.Toimproveswitchingspeed
C.ToreduceswitchinglossD.Tostoreenergy
12.Whichofthefollowingisacommoncoolingmethodforhigh-powersemiconductors?
A.AircoolingB.Watercooling
C.OilcoolingD.Alloftheabove
13.WhatisthetypicalswitchingfrequencyofapowerMOSFET?
A.Below1kHzB.1kHz–100kHz
C.Above100kHzD.Below100Hz
14.WhatdoesP
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