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探索GaN深槽刻蚀技术与新型氧化物半导体特性：突破与展望.docx

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    探索GaN深槽刻蚀技术与新型氧化物半导体特性：突破与展望

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在半导体技术持续演进的进程中，材料与工艺创新始终是推动电子器件性能飞跃的核心驱动力。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率以及高热导率等卓越特性，在高频、高功率及高温应用领域展现出传统半导体材料难以企及的优势，成为了当前半导体领域的研究焦点。

    在5G通信迅猛发展的时代背景下，对射频器件的性能提出了严苛要求。GaN器件因其能够提供更高的功率密度和工作频率，在5G宏基站的功率放大器中得到广泛应用，有效提升了信号传输的效率与覆盖范围。在消费电子领域，G

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