器件制备基础.pptVIP

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第1页,共13页,星期日,2025年,2月5日4.1制备过程

1、清洗2、氧化3、扩散或离子注入4、光刻5、薄膜沉积第2页,共13页,星期日,2025年,2月5日1、清洗

常用硅片清洗液Ⅰ号液:配方:NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7使用条件:80?5?C,煮10分钟作用:去油脂,去光刻胶残膜,去金属离子和金属原子Ⅱ号液:配方:HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8使用条件:80?5?C,煮10分钟作用:去金属离子和金属原子Ⅲ号液:配方:H2SO4:H2O2=3:1使用条件:120?10?C,煮15分钟作用:去油脂,去腊,去金属离子和金属原子第3页,共13页,星期日,2025年,2月5日2、氧化干氧:Si+O2=SiO2膜层致密,理想的Si-SiO2界面,生长速度慢湿氧:Si+2H2O=SiO2+2H2生长速度快,膜层致密性较差第4页,共13页,星期日,2025年,2月5日2、氧化氧化系统的简单说明图第5页,共13页,星期日,2025年,2月5日2、氧化(100)面和(111)面SiO2的氧化生长曲线第6页,共13页,星期日,2025年,2月5日3、扩散基本工艺流程第7页,共13页,星期日,2025年,2月5日3、扩散4.5磷的液态源扩散示意图第8页,共13页,星期日,2025年,2月5日3、扩散扩散温度900-1200?C。P源:POCl3,B源:BN,BO3一般分为预扩散和再扩散预扩散后:再扩散后第9页,共13页,星期日,2025年,2月5日4、光刻(1)涂胶(2)坚膜(3)掩膜板(4)瀑光(5)显影负光刻胶:光照后发生聚合反应,难以去除正光刻胶:光照后,感光剂发生分解,容易去除。第10页,共13页,星期日,2025年,2月5日

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