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探究量子阱周期数对InGaN_GaN基蓝光LED结构与光学性质的影响.docx

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    探究量子阱周期数对InGaN/GaN基蓝光LED结构与光学性质的影响

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今科技高速发展的时代，半导体发光二极管（LED）作为一种新型的固态光源，凭借其体积小、能耗低、寿命长、响应速度快、环保耐用等诸多优点，在照明、显示、通讯、生物技术等众多领域得到了广泛的应用，引发了照明和显示技术领域的重大变革。其中，InGaN/GaN基蓝光LED由于其能够发射405-490nm的蓝色光线，在实现全彩显示和白光照明技术中发挥着关键作用，成为了研究的热点和产业发展的重点。

    在照明领域，传统的照明光源如白炽灯和荧光灯，存在着能耗高、寿命短、含有汞等有害物质等问题

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