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基于PLD技术的一维稀土掺杂氧化锌纳米结构：合成、机理与性能探索.docx

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    基于PLD技术的一维稀土掺杂氧化锌纳米结构：合成、机理与性能探索

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着纳米科技的飞速发展，一维纳米结构材料因其独特的物理化学性质，在光电器件、传感器、催化剂等众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为材料科学领域的研究热点。氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能高达60meV，具有良好的光学、电学、压电和催化等性能，在光电器件、传感器、光催化、生物医药等领域有着广泛的应用前景。例如，在光电器件领域，ZnO可用于制备紫外发光二极管（UV-LED）、紫外探测器等；在传感器领域，基于ZnO的气敏传感器对多种气体具

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