氧化物浓磁半导体与反铁磁金属自旋极化输运的特性、差异及应用前景研究.docx

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氧化物浓磁半导体与反铁磁金属自旋极化输运的特性、差异及应用前景研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的迅猛发展,信息时代对电子器件的性能提出了越来越高的要求,传统的微电子学逐渐接近其物理极限,如功耗过大、尺寸难以进一步缩小等问题日益凸显。在这样的背景下,自旋电子学应运而生,它作为一门新兴的交叉学科,将电子的自旋属性与传统的电荷属性相结合,为电子学领域带来了全新的研究方向和发展机遇。

自旋电子学的兴起可以追溯到20世纪80年代,1988年巨磁电阻(GiantMagnetoresistance,GMR)效应的发现,成为了自旋电子学发展的重要里程碑。法国科学家Fert小组在

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