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摘要
与其他半导体材料相比，TiO2是一种很有前途的光催化材料，其光催化活性高、稳定性好且毒性
低。TiO2有金红石、锐钛矿、板钛矿三种相结构，其中锐钛矿相TiO2的光催化活性最好。因此研究
如何制备锐钛矿结构的TiO2是十分重要的课题。但是TiO2作为光催化材料还存在些许不足：一、
TiO2是一种带隙为3.2eV的宽禁带半导体，只能被紫外光吸收，太阳能利用率低。二、光生载流子
利用率低。就目前存在的这些问题，本论文提出对TiO2进行富缺陷改性研究，以此扩展其对可见光
的响应范围，提高催化太阳光的利用率，提高光催化剂性能。
本论文以TiN
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