低电压氧化物基质子电子杂化薄膜晶体管：原理、特性与应用的深度剖析.docx

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2025-10-05 发布于上海
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低电压氧化物基质子电子杂化薄膜晶体管：原理、特性与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，电子器件的发展日新月异，其性能、功耗和尺寸等方面的优化一直是科研领域和产业界关注的焦点。薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为一种以沉积形成的半导体、金属和绝缘体薄膜组成的场效应器件，在现代电子设备中扮演着举足轻重的角色，广泛应用于显示领域（如液晶显示器、有机发光二极管等）、传感领域（生物传感器、气敏传感器等）以及探测领域（量子点薄膜晶体管探测器等）。

随着科技的不断进步，各类电子设备对薄膜晶体管的性能提出了更高的要求。一方面，随着便携式电子设备如智