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半导体公司笔试题(+答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种半导体材料的禁带宽度最大（）

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.碳化硅（SiC）

答案：D

解析：硅的禁带宽度约为1.12eV，锗的禁带宽度约为0.67eV，砷化镓的禁带宽度约为1.43eV，碳化硅的禁带宽度在2.3-3.3eV之间，所以碳化硅的禁带宽度最大。

2.在PN结中，扩散电流的方向是（）

A.从P区到N区B.从N区到P区

C.与外加电压方向有关D.无法确定

答案：A

解析：在PN结中，P区的空穴浓度高，N区的电子浓度高，空穴会从P区向N区扩散，电子会从N区向P区扩散，形成的扩散电流方向是从P区到N区。

3.场效应管（FET）的输入电阻（）

A.很大B.很小C.与晶体管相同D.不确定

答案：A

解析：场效应管是电压控制型器件，其栅极与源极、漏极之间是绝缘的（对于绝缘栅场效应管）或通过反向偏置的PN结隔离（对于结型场效应管），所以输入电阻很大，一般可达10^7-10^15Ω。

4.下列集成电路工艺中，速度最快的是（）

A.CMOS工艺B.TTL工艺C.ECL工艺D.NMOS工艺

答案：C

解析：ECL（发射极耦合逻辑）工艺是一种非饱和型数字集成电路，具有很高的开关速度，其传输延迟时间可低至1ns以下。CMOS工艺功耗低，但速度相对ECL较慢；TTL工艺速度和功耗介于ECL和CMOS之间；NMOS工艺速度也不如ECL工艺。

5.半导体中的载流子迁移率与（）有关

A.温度B.杂质浓度C.电场强度D.以上都是

答案：D

解析：温度升高时，载流子的热运动加剧，散射概率增加，迁移率会降低；杂质浓度增加会使载流子的散射增强，迁移率下降；电场强度较小时，迁移率基本不变，但当电场强度很大时，载流子的漂移速度会趋于饱和，迁移率也会发生变化。

6.对于一个N型半导体，其多数载流子是（）

A.空穴B.电子C.离子D.中性原子

答案：B

解析：N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质，五价杂质原子提供一个多余的电子，所以N型半导体的多数载流子是电子。

7.以下关于MOSFET的说法，错误的是（）

A.有增强型和耗尽型之分

B.可以用于放大和开关电路

C.栅极电流较大

D.输入电阻高

答案：C

解析：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）有增强型和耗尽型两种类型；它既可以工作在放大区用于信号放大，也可以工作在截止区和饱和区用于开关电路；由于栅极与沟道之间有绝缘层，所以栅极电流极小，输入电阻高。

8.在半导体制造工艺中，光刻的作用是（）

A.去除杂质B.形成电路图案C.提高载流子浓度D.降低电阻

答案：B

解析：光刻是半导体制造中的关键工艺，通过光刻可以将掩膜版上的电路图案转移到半导体晶圆表面的光刻胶上，然后经过后续的刻蚀等工艺，在晶圆上形成所需的电路图案。

9.一个理想的二极管，在正向偏置时，其等效电阻（）

A.无穷大B.零C.为一个固定值D.随电流变化

答案：B

解析：理想二极管在正向偏置时，认为其导通电阻为零，相当于短路；在反向偏置时，认为其电阻无穷大，相当于开路。

10.以下哪种半导体器件可以实现光-电转换（）

A.发光二极管（LED）B.光电二极管C.晶闸管D.双极型晶体管

答案：B

解析：光电二极管是一种可以将光信号转换为电信号的半导体器件，当有光照射时，会产生光生载流子，从而形成光电流。发光二极管是将电能转换为光能；晶闸管主要用于可控整流等电路；双极型晶体管主要用于放大和开关等功能。

二、填空题（每题3分，共30分）

1.本征半导体中，电子浓度______空穴浓度。

答案：等于

解析：本征半导体是纯净的、具有晶体结构的半导体，在本征激发过程中，产生的电子-空穴对是成对出现的，所以电子浓度等于空穴浓度。

2.半导体三极管有______、______、______三种工作状态。

答案：放大、截止、饱和

解析：当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管工作在放大状态，可用于信号放大；当发射结和集电结都反偏时，三极管工作在截止状态，相当于开关断开；当发射结和集电结都正偏时，三极管工作在饱和状态，相当于开关闭合。

3.MOSFET的三个电极分别是______、______、______。

答案：栅极（G）、源极（S）、漏极（D）

解析：栅极用于控制