探索准一维纳米结构宽带隙半导体的场致过热电子发射模型：理论、特性与应用.docx

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2025-09-30 发布于上海
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探索准一维纳米结构宽带隙半导体的场致过热电子发射模型：理论、特性与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，电子发射作为电子学领域的关键物理过程，始终占据着至关重要的地位。从传统的电子管到如今广泛应用的各种电子器件，电子发射的性能优劣直接决定了器件的工作效率、稳定性以及应用范围。场致电子发射冷阴极电子源，作为一种能够在较低电压下实现电子发射的技术，在平板显示、真空微电子器件、电子显微镜以及太赫兹源等众多领域展现出了巨大的应用潜力。这是因为它不仅可以有效降低器件的能耗，还能够提升器件的响应速度和分辨率，为实现小型化、高性能的电子设备提供了可能。

近年来，新型准一维纳米结