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基于氧化铟锡的无结全透明低电压薄膜晶体管：性能、制备与应用前景.docx

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    基于氧化铟锡的无结全透明低电压薄膜晶体管：性能、制备与应用前景

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代电子技术的飞速发展进程中，薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为构建各类电子器件的关键基础元件，发挥着举足轻重的作用。从日常使用的显示设备，如液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED），到具有前沿科技属性的可穿戴设备、传感器以及量子点探测器等，薄膜晶体管无处不在，其性能优劣直接关乎这些设备的整体表现。

    在显示领域，薄膜晶体管犹如像素的精准“开关”，通过对源极和漏极之间电流流动的精细调控，实现对像素亮度和颜色的有效控制，从而为用户呈现出清晰、绚丽

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